
Драйвер OEM для ячейки Поккельса PCD-N-2
- Модуляция добротности наносекундных лазеров
- Максимальное напряжение отн. амплитуды в ячейке (ВН) (U1 + U2)5 кВ
- Время спада импульса ВН: < 15 нс
- Время нарастания импульса ВН: 60 мкс
- Длительность импульса ВН: 300 мкс
- Частота следования импульса ВН: ≤ 250 кГц
- Без задержки фазы
Производитель EKSPLA
Описание
Характеристики
Описание
PCD-N-2 предназначен для модуляции добротности наносекундных лазеров без задержки фазы. Высокое напряжение используется в ячейках Поккельса для запрета вибрации. Они открываются импульсом отрицательной полярности, что позволяет лазеру вырабатывать излучение. Рабочее напряжение ячейки Поккельса равно сумме значений напряжений U1 и U2 (см. рис. 1.)
Технические характеристики
Максимальное напряжение отн. амплитуды в ячейке (ВН) (U1 + U2) | 5 кВ |
Значение U1 (рис. 1) | соответствует напряжению питания ВН |
Значение U2 (рис. 1) | соответствует 0,25×U1 (опционно 0 V) |
Время спада импульса ВН (а, см. рис. 1) | < 15 нс |
Время нарастания импульса ВН, стандартное (b, см. рис. 1) | 60 мкс |
Длительность импульса ВН, стандартная | 300 мкс 1) |
Частота следования импульса ВН | ≤ 250 кГц |
Задержка импульса ВН (d, см. рис. 1) | 40 нс |
Длительность импульса внешнего переключения | 100 – 1200 мкс |
Амплитуда импульса внешнего переключения | 3 – 5 В (50 Ом) |
Время нарастания и спада импульса внешнего переключения | < 20 нс |
Размеры панели | 92 × 70 × 22 мм* |
Расположение монтажных отверстий диаметром 3,2 мм | 84 × 62 мм |
Внешнее питание: | |
DC питание | 12 – 24 В, макс. 200 мА |
питание ВН | 4 кВ, 1 мА |
1)Может быть изменена на 1200 мкс для получения более низких частот следования импульсов ВН.
*Оставить зазор не менее 5 мм от каждого края панели до др. деталей.