Волоконные ТГц излучатель и детектор

• Фотопроводящая антенна выполнена из GaBiAs
• Оптимизированы для длины волны 1060 нм
• Перенос импульса накачки по оптоволокну

Волоконные ТГц излучатель и детектор разработаны для перекрытия широкой рабочей полосы и могут использоваться в стандартной установке для ТГц спектроскопии с разрешением по времени (THz-TDS)

• Терагерцовая (ТГц) спектроскопия с временным разрешением (Time domain spectroscopy)
• Оптическая накачка – ТГц спектроскопия
• Подходит для любых волоконных решений

Уникальность GaBiAs материала, используемого в фотопроводящей антенне (PCA), заключается в том, что он  обладает превосходной чувствительностью для длин волн вблизи 1060 нм и электронов с временем жизни менее 1 пс. В результате, ультра короткие половинные ТГц импульсы с шириной полосы 5 ТГц могут излучаться и регистрироваться элементами, выполненными на основе таких материалов. Перенос излучения по волокну исключает трудоемкую настройку и регулировку и гарантирует максимальную подстраиваемость под различные эксперименты. Например, данная особенность позволяет с легкостью изменять геометрии измерения: пропускание на отражение и наоборот и т.п. Данные излучатели и детекторы вмонтированы в удобные оправы, совместимые с 1-дюймовыми (25.4 мм) держателями. Производительность каждого устройства проверяется на заводе-изготовителе, а также к нему прикладывается протокол измерений и технический паспорт.

Мы предлагаем два стандартных типа данных линз: для создания коллимированного или расходящегося выходного ТГц пучка. Во втором случае PCA размещается в апланатической точке кремниевой линзы, что уменьшает аберрации ТГц пучка.

PCA разработана специально для ТГц излучателя и детектора. Подложка из GaAs содержит эпитаксиальный активный слой GaBiAs, чтобы достичь высокой устойчивости. Высокая фоточувствительность материала позволяет использовать менее мощные импульсы для возбуждения. На поверхности данного фотопроводника формируется дипольная антенна копланарного типа, используя AuGeNi металлизацию. Зазор между контактами детектора сравним с диаметром лазерного луча, а между контактами излучателя – больше. Фотопроводящий чип крепится на специальной печатной плате (PCB) внутри корпуса устройства. SMA разъемы на задней стороне держателя используются для подвода переменного/постоянного тока смещения к терагерцовому излучателю и входу усилителя к ТГц детектору.

Каждый волоконный излучатель или детектор поставляется со специальным волокном. Стандартная конфигурация требует подавать на вход волокна импульс длительностью 0.5 – 2 пс до чирпирования. Обычно такие параметры импульса доступны сразу на выходе волоконных лазеров до стадии сжатия. В этом случае импульс сжимается во время своего распространения по волокну с отрицательным значением дисперсии. Для фемтосекундных импульсов может быть применено другое решение – оптоволокно с уровнем дисперсии близким к нулю. В таком волокне фемтосекундный импульс сохраняет свою форму и длительность на выходе из него. В обоих случаях данные методы работают только для определенных длин волн, поэтому это необходимо уточнять при заказе. Лазерное излучение переносится с помощью FC/APC коннектора. Оно фокусируется на PCA с помощью объектива, встроенного в конструкцию терагерцового излучателя и детектора.