Определение характеристик полевого МОП-транзистора* (MOSFET) с помощью нанозондов in-situ

   

Так как размеры узлов транзисторов продолжают уменьшаться до нескольких десятых нанометров, из-за этого невозможно определить характеристики отдельного транзистора с помощью обычной зондовой станции.

Цель данной статьи описать процедуру определения характеристик полевых транзисторов МОП-структуры с каналом p-типа внутри SEM с помощью нанозондов. Готовое решение для электронных микроскопов от Imina Technologies с четырьмя наноманипуляторами miBot™ позволяет исследователю точно размещать зонды непосредственно на металлических линиях. Электрические измерения выполняются с помощью анализатора параметров полупроводников Keithley 4200-SCS.

Уникальная технология мобильного движения микророботов позволяет оператору регулировать ориентацию зонда в режиме реального времени, чтобы приспособиться к геометрии тестируемого устройства. Это позволяет избежать необходимости открывать вакуумную камеру микроскопа, что значительно увеличивает производительность процесса.

* Полевой МОП-транзисторполевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник

Место проведения эксперимента: Fraunhofer CAM, Halle, Germany 

Подробная информация:

  • Компактность: 20.5 х 20.5 х 13.6 мм, плечо: 8.3 мм (без рабочего органа)
  • 4 степени свободы - X, Y, R, Z
  • Масштабируемое разрешение позиционирования от мкм до нм
  • Мобильность – интеграция пьезоэлектрических приводов в манипулятор
  • Готовые решения для электрических или оптических микроскопов (NANO / MICRO)
  • Широкий диапазон применения: электрическое зондирование, анализ дефектов, манипулирование
Узнать цену