Эллипсометры — приборы для анализа тонких пленок

Спектральная эллипсометрия является единственной уникальной технологией, позволяющей измерять толщину и показатель преломления (RI) независимо и одновременно без ссылки на однослойную пленку.
Спектральные эллипсометры Ellipso Technology используются для анализа тонких пленок: измерения толщины и оптических показателей многослойных  и однослойных структур. Данные приборы предназначены для определения характеристик таких типов материалов, как диэлектрики, полупроводники, органики, а также типов пленок: OLED пленки, антибликовые покрытия, солнечные ячейки и пленки с низкими и высокими значениями оптических констант и т.д.

Принцип работы эллипсометров заключается в высокочувствительном и точном поляризационно-оптическом исследовании поверхностей и границ раздела различных сред (твердых, жидких, газообразных), который основан на изучении изменения состояния поляризации света после взаимодействия его с поверхностью границ раздела этих сред.
Рефлектометрические системы предназначены для надежного, быстрого и точного измерения толщин пленок с небольшим количеством покрытий в различных технологических процессах.



Вид каталога:
  • Для исследования характеристик всех типов материалов: диэлектриков, полупроводников, органики и многих других
  • Измеряемые константы: толщина пленки, n, k через λ
  • Производительность 10~15 с на точку(зависит от типа пленки)
  • Cтандарт для измерения толщин тонких пленок и оптических констант с очень небольшим размером пятна
  • Производительность: < 0.5 с на точку (зависит от типа пленки)
  • Повторяемость: ±1 Å за 10 измерений
  • Для высокоточных измерений толщин пленок
  • Измеряемые константы: отражательная способность, толщина пленки, n, k через λ 
  • Производительность: < 1 с на точку (зависит от типа пленки)
  • Для надежного, быстрого и точного измерения толщин пленок
  • Измеряет толщину пленки, n, k через λ, отражательную способность
  • Производительность: 0.5 с на точку
  • Повторяемость ± 1Å при измерении 10 раз
  • Предназначена для анализа сильных, слабых и нулевых фазовых пленок
  • Определяет оптические оси, параметры Rin и Rth, оси затухания поляризационных пленок
  • Производительность: < 25 с на точку