Сканирующие (растровые) электронные микроскопы

Линейка лучших в своем классе портативных электронных микроскопов от компании Seron Technologies.
От настольных систем до систем с увеличением  1 000 000Х.

Вид каталога:
  • Дизайн исполнения на основе компенсации оптических аберраций
  • Режим низкого напряжения (получение изображения образцов без покрытия)
  • Компактные размеры – настольное типоисполнение
  • Высокая скорость сканирования и высокое разрешение
  • Технология компенсации аберраций
  • Режим низкого напряжения (получение изображений образцов без покрытия)
  • Улучшенная компенсация внутренних вибраций, нагрева и электро-магнитных помех
  • Высокая совместимость с EDS (угол 25°)
  • Дополнительное цифровое увеличение 2Х, 4Х, 8Х
  • Детектор вторичных электронов ET-типа
  • Большое увеличение, режим низкого напряжения
  • Дополнительное цифровое увеличение 2Х, 4Х, 8Х
  • Конический объектив с углом 65° для анализа широких образцов
  • Высокая скорость сканирования и разрешение
  • CE сертификация
  • Конический объектив на 65°
  • Высокое разрешение (8192 × 6144 пикселей)
  • Обновляемый драйвер для высокой скорости сканирования
  • Автоматический шаг и замощение для файлов данных больших размеров
  • Различные фильтры для снижения шумов
  • Конический объектив на 60°
  • Высокое разрешение (до 8192×6144 пикселей)
  • Возможность исполнения на основе Lab6 или FE-SEM оптики для долгого обзора под высоким вакуумом
  • Высокая скорость сканирования
  • Многозадачный графический пользовательский интерфейс
  • Режим SEM для получения изображений в нанометровом диапазоне разрешения
  • Режим электронно-лучевого микрообъединения для сплавления/спекания субмикронных частиц (макс. ток 100 мкА)
  • Низко кэВ электронная пушка
  • Возможность отслеживания процесса с помощью BSE детектора
  • Ускоряющее напряжение: 60 – 175 кВ
  • Различные модификации и размеры EBW систем
  • Возможность пользовательской интеграции в производственные линии
  • Специальные сварочные системы
  • Возможность получения SEM изображений в нм масштабе
  • Уникальная система объединения лучей
  • Субмикрометровый размер рабочего луча + зондовый ток более 100 мкА
  • Легкость наведения на мкм объекты