Ионно-лучевое напыление. Установки вакуумного напыления

Отличительными достоинствами технологии является получение покрытий без эффекта дрейфа во времени при воздействии атмосферы и различных климатических условий, что является одним из важнейших требований к современным оптическим и функциональным покрытиям.

Вид каталога:
  • Нанесение прецизионных оптических покрытий для лазерного применения
  • Подложкодержатель Ø320 мм
  • Равномерность покрытий ±0.5%
  • Диапазон оптического контроля 350-1050 нм
  • Разрешающая способность 1 нм
  • До 6-ти материалов мишеней
  • Комбинирование ионно-лучевого и магнетронного распыления
  • Ионно-лучевая очистка
  • Шлюзовая загрузка
  • Встроенный оптический контроль по детали
  • Зона напыления 150 мм
  • Макс. размер зоны нанесения Ø200 мм
  • Макс. высота подложки до 30 мм
  • Неравномерность осаждения материала вплоть до 0.1%
  • Оптический контроль «на пропускание»
  • Шлюзовая загрузка
  • Полная автоматизация
  • Нанесение покрытий на  германиевые и кремниевые детали
  • Размер обрабатываемой подложки 370x420 мм
  • Оптический контроль толщины покрытия
  • 2 вакуумных камеры
  • Шлюзовая загрузка
  • Высоковакуумный затвор между камер
  • Шлюзовая камера с системой вращения
  • «Сухой» механический насос
  • Откачка камер в автоматическом режиме
  • Нанесение герметизирующих слоев на основе Si3N4 и SiO2
  • Нанесение прозрачных проводящих покрытий
  • 4-х позиционный узел сменных мишеней
  • Шлюзовая камера с высоковакуумным роботом-загрузчиком
  • Размер подложек 200x200 мм и 370x470 мм

Технология ионно-лучевого распыления заключается в бомбардировке мишени заданного состава пучком ионов с энергией до 5000 эВ с последующим осаждением распыленного материала на подложку. При этом стехиометрия формируемого покрытия идентична мишени.

Эта современная технология предназначена для нанесения прецизионных нанослойных покрытий с высокой плотностью и низкой шероховатостью. Пленки, получаемые методом ионно-лучевого распыления, имеют абсолютную величину шероховатости Rpv = 4,0 nm со среднеквадратичным отклонением Rms = 0,19 nm.

Отличительными достоинствами технологии является получение покрытий без эффекта дрейфа во времени при воздействии атмосферы и различных климатических условий, что является одним из важнейших требований к современным оптическим и функциональным покрытиям.

Дополнительными преимуществами технологии ионно-лучевого распыления являются возможность проведения реактивных и нереактивных процессов в одной камере без переналадки (например, из мишени Si можно получать покрытия Si, SiO2, Si3N4), возможность нанесения покрытий на термочувствительные подложки (пластики и т.д.), так как процесс нанесения характеризуется низкими температурами до 900 °С. А также перенос нанокомпозитных материалов мишени на подложку без изменения их свойств.

Компанией “Изовак" разработаны ионные источники серии IBSS с различными конфигурациями ионного пучка, позволяющие проводить ионно-лучевое распыление мишеней как кольцевой, так и линейной геометрии, а также осуществлять косое напыление.