Ионно-лучевая очистка

Технология ионно-лучевой очистки предназначена для финишной очистки поверхности подложки пучком ускоренных ионов с энергией до 1500 эВ от молекулярных частиц, адсорбированных газов, полимерных фрагментов, паров воды, а также для атомарной активации поверхностных связей подложки непосредственно перед нанесением тонкопленочного покрытия.

Вид каталога:
  • Нанесение прецизионных оптических покрытий для лазерного применения
  • Подложкодержатель Ø320 мм
  • Равномерность покрытий ±0.5%
  • Диапазон оптического контроля 350-1050 нм
  • Разрешающая способность 1 нм
  • До 6-ти материалов мишеней
  • Комбинирование ионно-лучевого и магнетронного распыления
  • Ионно-лучевая очистка
  • Шлюзовая загрузка
  • Встроенный оптический контроль по детали
  • Зона напыления 150 мм
  • Макс. размер зоны нанесения Ø200 мм
  • Макс. высота подложки до 30 мм
  • Неравномерность осаждения материала вплоть до 0.1%
  • Оптический контроль «на пропускание»
  • Шлюзовая загрузка
  • Полная автоматизация
  • Высоковакуумный затвор между камер
  • Шлюзовая камера с системой вращения
  • «Сухой» механический насос
  • Откачка камер в автоматическом режиме
  • Двустороннее нанесение
  • Предварительная ионно-лучевая очистка
  • Нагрев подложек до 400 °С
  • Одновременная обработка 65 подложек
  • Размер подложек 60х48 мм
  • Криопанель и турбомолекулярный насос
  • Замкнутая система водяного охлаждения
  • Нанесение методом термического испарения
  • Одностороннее либо двухстороннее напыление
  • Ионно-лучевая очистка
  • Нагрев подложек до 300 °C
  • Высоковакуумный турбомолекулярный насос
  • Очистка от органических загрязнений теневых масок
  • Отличительные особенности по сравнению с технологией жидкостной очистки
  • Отсутствие недоочищенных участков органики на теневой маске
  • Сохранение формы и структуры маски
  • Возможность использования различных технологических устройств и подложкодержателей
  • Конфигурируется как для исследований, так для пилотного, мелкосерийного производства
  • Оборудование идеально подходит для наненсения драгоценных металлов
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Наличие шлюза (опция)
  • Возможность использования различных технологических устройств и подложкодержателей
  • Конфигурируется как для исследований, так для пилотного, мелкосерийного производства
  • Оборудование идеально подходит для наненсения драгоценных металлов
  • Возможность встраивания в чистую комнату
  • Наличие шлюза (опция)

Применение технологии ионно-лучевой очистки гарантирует существенно более высокую степень адгезии по сравнению с традиционными методами (например, тлеющий разряд или плазменная очистка), что в итоге обеспечивает более длительную и надежную эксплуатацию деталей с покрытиями.

На фирме “Изовак разработаны ионные источники серии IBCS с различными конфигурациями ионного пучка, позволяющие проводить ионно-лучевую очистку практически любых, в том числе и крупноформатных изделий. Достоинствами такой технологии являются высокая степень равномерности обрабатываемых изделий, возможность обработки под различными углами любых подложек (металлы, полупроводники, диэлектрики, полимеры), высокая скорость очистки.