
Система для нанесения покрытий методом погружения DC-101
- Длина хода: макс. 150 мм
- Скорость опускания / подъема: 5-3500 мкм/с (0.3-210 мм/мин)
- Память для хранения программ: 5-10 программ
- Размеры подложки: макс. 75х25 см
Производитель E-Spin Nanotech
Описание
В настоящее время в области исследований тонких пленок метод покрытия погружением представляет собой легко адаптируемый и простой подход к созданию разнообразных покрытий из полимеров, молекул и частиц для различных применений, например, в области биоматериалов, электроники и датчиков.
Особенности
Особенности системы погружения E-Spin Nanotech (серия DC):
- Полная автоматизация процесса погружения.
- Можно использовать разные размеры, формы и материалы.
- Возможность использования нескольких слоев покрытия в программируемой последовательности покрытия.
- От лабораторных до высокопроизводительных моделей для промышленных покрытий
- Толщину покрытия можно регулировать.
Устройства
Устройства для нанесения покрытий погружением (серия DC), разработанные E-Spin Nanotech, представляют собой точные и первоклассные решения для нанесения покрытий, которые можно использовать для целого ряда применений, от осаждения наночастиц до золь-гелевых покрытий. Некоторые из областей, в которых обычно используются эти установки для нанесения покрытий погружением, включают:
- Создание золь-гелевых покрытий
- Изготовление самособирающихся монослоев
- Разработка послойных сборок
- Создание многослойных сенсорных покрытий
- Функциональные имплантаты
- Производство гидрогелей
Технические характеристики
| Позиционер | Сервопривод |
| Приводное устройство | Шарико-винтовая передача (без мёртвого хода) |
| Управление скоростью | Наличие |
| Входное питание | 220-240 В, 50 Гц |
| Подключение к ПК | USB |
| Длина хода | макс. 150 мм |
| Скорость опускания / подъема | 5-3500 мкм/с (0.3-210 мм/мин) |
| Память для хранения программ | 5-10 программ |
| Размеры подложки | макс. 75х25 см |
| Управление температурой | ИК-нагреватель (опционально) ПИД-контроль |
| Макс. температура | 200 °С (±2 °С) |