Коллинеарный ОРА для среднего ИК диапазона ORPHEUS-ONE

Коллинеарный OPA для среднего ИК диапазона ORPHEUS-ONE, ORPHEUS one

  • Требования к накачке: используется лазер Pharos, Pharos-SP или Carbide
  • Диапазон перестройки: 1350 – 4500 нм
  • Расширенный диапазон перестройки: 4500 – 16000
  • Длительность выходного импульса: 200 – 250 фс (Pharos), 120 – 190 фс (Pharos SP)
  • Спектр. ширина импульса: 100 – 250 см-1
  • Генерация излучения в среднем ИК в два этапа дает возможность получать большее значение ширины спектральной линии

Производитель Light Conversion

Основные параметры
  • Требования к накачке:
    Используется лазер Pharos, Pharos-SP или Carbide
  • Диапазон перестройки:
    1350 – 4500 нм
  • Расширенный диапазон перестройки:
    4500 – 16000
  • Длительность выходного импульса:
    200 – 250 фс (Pharos)
    120 – 190 фс (Pharos SP)
  • Спектр. ширина импульса:
    100 – 250 см-1
  • Генерация излучения в среднем ИК в два этапа дает возможность получать большее значение ширины спектральнойной линии

Отличительные особенности

Данный прибор представляет собой коллинеарный оптический параметрический усилитель (ОРА), накачиваемый фемтосекундными иттербиевыми лазерами  и имеет область генерации в среднем ИК диапазоне спектра.

  • Диапазон перестройки 1350 – 4500 нм
  • Возможность расширения диапазона до 16000 нм
  • Двойной выход для среднего ИК по сравнению со стандартным ORPHEUS
  • Построен на основе зарекомендовавшего себя ОРА серии TOPAS
  • Частота следования импульсов до 1 МГц
  • Доступны конфигурации с широкой или ограниченной полосой генерации
  • Система адаптивна к различным энергиям накачки и различной длительности импульсов
  • Полное управление через ПК и соответствующее ПО

Усиление происходит в два этапа. Первый нелинейный кристалл (BBO/LBO) накачивается второй гармоникой лазера накачки (515 нм) и облучается белым светом, генерируя широкий спектральный диапазон на выходе 650 – 850 нм (первое состояние сигнальной волны) и 1350 – 2100 нм (первое состояние холостой волны). Второй нелинейный кристалл (КТА) накачивается излучением лазера на основной длине волны (1030 нм) и облучается излучением от первого состояния холостой волны. На выходе генерируется излучение в диапазоне 1350 – 2060 нм для сигнальной волны и 1450 – 2060 нм для холостой.

ORPHEUS-ONE обладает высокой степенью сжатия в ИК диапазоне благодаря энергии накачки, доступной для КТА кристалла (используется до 80% излучения накачки). Кроме того, данный ОРА объединяет в себе два стадии накачки, что делает его меньше и увеличивает долговременную стабильность.

Расширенный диапазон 4500 – 16000 нм возможно получить на втором этапе усиления за счет смешивания холостой и сигнальной волн в соответствующем кристалле (селенид галлия).

Стандартные диапозоны перестройки ORPHEUS-ONE.
Накачка: PHAROS-6W, 200 кГц, 260 фс

Технические характеристики*

Требуемый лазер накачки PHAROS, PHAROS-SP, CARBIDE
Диапазон перестройки 1350 – 2060 нм (сигнальная), 2060 – 4500 нм (холостая)
Эффективность встроенного
генератора второй
гармоники (515 нм)
~10 – 25% (недоступна без
соответствующей модификации)
Эффективность
преобразования на пике
перестроечной кривой,
сигнальная и холостая волны
объединены во втором
состоянии
> 14% при энергии накачки 30 –
400 мкДж **
Стабильность энергии импульса СКО < 2% на  1450 – 4000 нм
Спектральная ширина импульса 100 – 250 см-1 на 1450 – 2000 нм
Длительность импульса 200 – 250 фс, при накачке PHAROS
120 – 190 фс, , при накачке PHAROS-PS
Приборы с широкой
полосой временных частот
< 1.0 на 1450 – 2000 нм

* Приборы с широкой полосой временных частот, эфективность преобразования для ORPHEUS-ONE указана в процентном соотношении от входной мощности.
** Системы высокой энергии ORPHEUS-ONE доступны для энергии накачки до 2 мДж