Описание
Описание
- Измерение зависимости выходной мощности от тока: Относительную выходную мощность лазерного диода можно измерить в зависимости от тока инжекции. Ток лазерного диода либо ступенчато увеличивается в настройках контроллера, либо может периодически увеличиваться и уменьшаться внутренним модулятором контроллера. Относительная мощность лазера измеряется фотодиодным детектором и оцениваются такие параметры, как порог лазерной генерации и эффективность наклона кривой выходной мощности лазера.
- Распределение мощности диаграммы направленности в дальней зоне: Измеряется профиль распределения мощности пучка лазерного диода в дальней зоне. Лазерный диод вращается вокруг держателя. Интенсивность лазера в зависимости от угла поворота измеряется фотодиодным детектором. Благодаря возможности вращения лазерного диода вокруг направления пучка, можно измерить профиль пучка как по быстрой, так и по медленной оси.
- Измерение формы пучка лазерного диода: Цель состоит в том, чтобы измерить эллиптическую форму пучка лазерного диода и определить перпендикулярный и параллельный угол излучения. Поскольку лазерный диод установлен в держателе с двумя степенями свободы вращения, все необходимые углы могут быть измерены без перемещения фотодиодного детектора. По измеренным углам можно рассчитать и нарисовать форму эллиптического пучка.
- Формирование профиля лазерного пучка: Сильно эллиптическая форма пучка лазера часто является недостатком диодных лазеров по сравнению с твердотельными или газовыми лазерами с их почти круглым профилем. Для уменьшения эллиптичности до минимума используются линзы для формирования профиля лазерного пучка. В учебный комплекс входят две цилиндрические линзы для демонстрации того, как реализуется формирование профиля пучка.
- Измерение поляризации лазерных диодов: Используя вращающийся анализатор и фотодиодный детектор, можно доказать распределение интенсивности линейного поляризованного лазерного излучения и его зависимость от cos2.
- Зависимость длины волны от температуры диода: Измеряется спектр поглощения кристалла Nd:YAG в зависимости от температуры лазерного диода. Используя известные линии поглощения Nd:YAG, измеряют пропускаемую интенсивность или интенсивность флуоресценции кристалла. Изменяя температуру лазерного диода, его длина волны излучения сдвигается. Рассчитывается корреляция между температурой лазерного диода и сдвигом длины волны.
- Зависимость длины волны от тока накачки диода: Для лазерных диодов характерно увеличение длины волны пропорционально увеличению мощности. Чтобы компенсировать такое поведение, необходимо изменять его температуру. Работа на постоянной длине волны реализуется за счет работы при минимальном поглощении (т. е. максимальном пропускании) и оптимизации температуры и тока накачки для максимального пропускания.
- Измерение времени жизни люминесценции: Уровень 4F3/2 является начальным уровнем для излучения на длине волны 1064 нм. Обнаруживается время жизни флуоресценции кристалла Nd:YAG при накачке лазерным диодом. Ток диода модулируется через TTL и измеряется кривая затухания флуоресценции.
