Гониометр для анализа кривой качания

Кривая качания отражения кристалла указывает на качество кристаллической решетки. Данный анализ может выполняться поточечно для быстрой проверки и в сочетании с системой картирования для получения более подробной информации.

Измерение кривой качания означает измерение с помощью «Theta-scan» метода, для которого требуется гониометр. В первичную траекторию луча вводится двойной кристалл с целью уменьшения ширины спектра и расходимости. Однако побочным эффектом является сильно сниженная интенсивность. В связи с этим двойной кристалл установлен на выдвижном держателе, чтобы имелась возможность его ввода и вывода в оптический путь луча.

Кривые качания в первую очередь используются для изучения таких дефектов, как плотность дислокаций, распределение мозаичной структуры, кривизна, разориентация, неоднородность.

В тонких пленках с согласованной решеткой кривые качания также можно использовать для изучения толщины слоя, периода сверхрешетки, деформации, профиля состава, несоответствия решетки, тройного состава и релаксации.

В идеальном кристалле ширина кривой качания определяется геометрией луча и спектральной шириной источника излучения. Наличие дефектов в кристалле приводит к уширению кривой качания. Обычно полуширина измеренной кривой качания сравнивается с рассчитанной для идеального кристалла. С помощью нашего оборудования мы можем достичь минимальной полуширины в 0.002° (7 секунд).

Кривые качания кристалла 6H SiC, измеренные вдоль одной линии в точках на расстоянии 8 мм друг от друга.