Фотопроводящая антенна для излучателя/детектора для длины волны 800 нм

ТГц излучатель/детектор снабжен микрополосковой фотопроводящей антенной (PCA), выполненной на основе из GaAs подложки, толщиной около 350 мкм и размерами 1.5 × 5 мм. В качестве фотопроводника используется GaAs, выращенный при низкой температуре (LT-GaAs). Дипольная антенна формируется за счет AuGeNi металлизации. Доступно два типа PCA (см. рис. 1 и 2).

Рис. 1. Параллельная микрополосковая антенна излучателя (все размеры в мкм).

Рис. 2. Параллельная микрополосковая антенна детектора с зазором в 6 мкм (все размеры в мкм).

Рис. 3. Зависимость мощности излучения ТГц излучателя TERAVIL от напряжения смещения. Измерено с помощью оптоакустического детектора TYDEX GC-1P (Gollay Cell). Гиперполусферическая кремниевая линза использовалась для увеличения диаметра пучка выходного излучения.

Рис. 4. Быстрое преобразование Фурье ТГц спектра, зарегистрированного с помощью ТГц антенны LT-GaAs.