ТГц антенна TERA8-1 для длины волны 800 нм

ТГц антенна TERA8-1 для длины волны 800 нм

  • Может использоваться и как излучатель, и как детектор
  • Спектральный диапазон: > 4 ТГц
  • Оптимизирована для работы с излучением на длине волны порядка 800 нм
  • Один диполь на каждом чипе, соединенный накруткой

Производитель Menlo Systems

Описание
Характеристики

Отличительные особенности

  • Спектральный диапазон: > 4 ТГц
  • Оптимизирована для работы с излучением на длине волны порядка 800 нм, длительностью импульса < 100 фс и частотой повторения 100 МГц
  • Высокая эффективность преобразования
  • Чип размещен на печатной схеме (PCB)
  • Один диполь на каждом чипе, соединенный накруткой
  • Подложка из GaAs, выращенного при низкой температуре (LT-GaAs)

ТГц антенна TERA8-1 представляет собой одиночный диполь. Данная антенна может использоваться и как излучатель, и как детектор. Рекомендуемый источник накачки волоконный лазер C-Fiber 780.

Области применения

  • Генерация и регистрация ТГц излучения
  • Построение ТГц изображения

Опции

  • T8-H2: держатель для фотопроводящей ТГц антенны; включает в свой состав фокусирующую линзу для луча накачки и кремниевую линзу для ТГц излучения. Высота луча 85 мм

Габаритные размеры ТГц антенны TERA8-1 (все размеры в мм) 

Рис. 1. Габаритные размеры ТГц антенны TERA8-1 (все размеры в мм).

Структура ТГц антенны TERA8-1

Рис. 2. Структура ТГц антенны TERA8-1.

Производительность ТГц антенны TERA8-1

Рис. 3. Производительность ТГц антенны TERA8-1 (накачка: 780 нм, 100 фс; диполь 20 мкм; электрическая модуляция 1 кГц; время интегрирования 30 мс; средняя мощность излучения 10 мВт, напряжение смещения до 30 В).

Технические характеристики

Фотопроводящий материал LT-GaAs
Спектральный диапазон > 4 ТГц
Структура диполя 20 мкм
Размер зазора 5 мкм
Размер подложки 5 × 5 × 0.35 мм
Электрическое соединение Монолитная структура на PCB1
Эксплуатационные характеристики
Средняя мощность излучения < 10 мВт2
Длительность импульса < 100 фс
Частота следования импульсов 100 МГц (80 – 250 МГц)
Напряжение смещения ± 35 В (максимально ± 40 В)

1 Чип закреплен на печатной плате размерами 40 × 40 мм. Отдельно может быть заказан держатель T8-H2
2 Максимальная средняя мощность излучения при 100 МГц может быть не более 10 мВт. Неправильное использование (при несоблюдении эксплуатационных характеристик) ведет к потере гарантии.