Система фотолюминесцентной спектроскопии SC-100

  • Компактный модульный дизайн
  • Широкополосный ламповый источник возбуждения
  • Свободный или оптоволоконный вход/выход

Производитель DongWoo Optron

Отличительные особенности

  • Компактный модульный дизайн
  • Ламповый источник возбуждения (или один лазерный источник)
  • Совместимость с TCSPC системами (для модификации FS )
  • Разрешение по времени 25 пс / 1 нм (для модификации FS )

Комплекс SC-100 представляет собой частично кастомизируемую систему для фотолюминесцентной (PL) спектроскопии. Данная система является системой модульного типа, включающая в себя такие основные компоненты, как источник лазерного излучения (или ламповый источник), измерительная камера для образца и монохроматор-спектрограф с детектором. Также SC-100 может комплектоваться опциональными узлами для проведения измерений при низких и высоких температурах (от -269°C до +600°C). Высокий уровень автоматизации позволяет проводить все измерения с помощью многофункционального программного обеспечения Monoworks.

Также доступна модификация SC-100FS с рабочим диапазоном 200 – 1600 нм для измерения времени жизни флуоресценции.

Возможные измерительные режимы

  • Макрофотолюминесценция при комнатной температуре
  • Макрофотолюминесцентная абсорбционная спектроскопия при комнатной температуре
  • Низкотемпературная макрофотолюминесцентнаяи абсорбционная спектроскопия
  • Макрофотолюминесцентное картирование
  • Интеграция в системы рамановского картирования

Области применения

  • Полупроводниковая промышленность

Анализ полупроводниковых материалов (тип III – V)

Исследование поверхности подложек GaN/ZnO для LED (примеси, неоднородность)

Анализ кристаллизации тонких пленок солнечных элементов: a-Si, uc-Si

Картирование поверхности подложек GaN

  • Научно-исследовательская деятельность и разработка

Разработка материалов LED на основе GaN/GaAs

Разработка лазерных диодов для глубокого УФ

  • Исследование монослоев двумерных материалов

MoS2, MoSe2, WS2

Разработка сенсоров для БИК ПЗС

  • Общие применения

Фотолюминесценция драгоценных камней

Анализ времени жизни и PL измерения наночастиц органических солнечных элементов (P3HT), родамина 6G, фосфорных соединений

Зависимость PL от температуры и внутренняя квантовая эффективность

Анализпористых кремниевых наностержней

Анализ тонких пленок и SiC и TiO2

Химическое разложение толуола с ванадатом серебра

 Чувствительность системы SC-100: рамановский спектр воздуха

Рис. 1. Чувствительность системы SC-100: рамановский спектр воздуха.

PL картирование (слева) и PL спектры (справа) образца SiC.

Рис. 2. PL картирование (слева) и PL спектры (справа) образца SiC.

Спектр PBS наностержня (слева) и данные картирования GaN подложки (слева).

Рис. 3. Спектр PBS наностержня (слева) и данные картирования GaN подложки (слева).

 Квантовая эффективность при 10K и 300K (слева) и температурная зависимость PL сигнала в диапазоне 10 – 300K (справа)

Рис. 4. GaN: Квантовая эффективность при 10K и 300K (слева) и температурная зависимость PL сигнала в диапазоне 10 – 300K (справа).

 Спектр флуоресценции рубина

Рис. 5. Спектр флуоресценции рубина.

Программное обеспечение

Monoworks

ПО для управления монохроматором-спектрографом и обработки спектроскопических данных

Параметры монохроматора

  • Выбор монохроматора, дифракционной решетки, длины волны, порта и т.п.
  • Выбор диапазона сканирования по длинам волн
  • Выбор количеств точек сканирования
  • Установка времени интегрирования
  • Установка количества усреднений/скорости сканирования/времени сканирования
  • Установка времени задержки

Постобработка

  • Поиск пиков
  • Графическое отображение данных
  • Усреднение полученных данных
  • 3D-конвертация (опция)

Режимы работы

  • Тип сканирования: авто, возбуждение, испускание, синхронизация
  • Единицы измерения: в длинах волн (эВ – опция)
  • Отслеживание текущей интенсивности
  • Полуавтоматическая калибровка
  • Работа в режимах пропускания, отражения и люминесценции (опция)

Программное обеспечение

Характеристики

Источник возбуждения
Лазерное возбуждение 266 / 325 / 532 / 632.8 / 785 / 1064 нм (1 лазер) (до 200 мВт)
Диаметр пятна > 1 мм
Ламповое возбуждение Ксеноновая лампа, Галогенная лампа
Монохроматическое возбуждение Монохроматор MonoRa200 + Xe источник света
Измерительная камера для образца
Тип камеры На основе алюминиевых зеркал с исправленной сферической и хроматической аберрациями
Предметный столик XY столик с ручным управлением и вращением для перемещения образца; перемещение ± 25 мм
Оптика PLX зеркала, плоские алюминиевые зеркало, параболические внеосевые зеркала и крепления
Диафрагма Набор ирисовых диафрагм для выравнивания оптического пути и лазерного пучка
Монохроматор
Фокусное расстояние 200 мм или 320 мм (в зависимости от задачи)
Спектральное разрешение 0.2 нм (для 200 мм) или 0.1 нм (для 300 мм) для линии 435.8 нм
Спектральный рабочий диапазон 200 – 1000 нм (УФ-ВИД) + 900 – 1800 нм (БИК) (в зависимости от задачи) (потенциально до 5000 нм)
Уровень рассеянного света 1.0 × 10-5
Точность установки длины волны ± 0.2 нм
Воспроизводимость установки длины волны ± 0.04 нм
Система регистрации
Тип детектора ПЗС-матрица с открытым электродом / ФЭУ/ Si фотодиоды / ИК детектор на базе InGaAs
Количество пикселей 1024 × 255 / 512 × 1
Размер пикселя 26 × 26 мкм / 25 × 250 мкм
Рабочий диапазон длин волн 185 – 900 нм / 900 – 1700 нм
Пиковая квантовая эффективность > 90% на 600 нм / 85% для 1 – 1.6 мкм
Программное обеспечение
Тип Monoscan, Monoworks
Функции Поиск пиков; графическое отображение, усреднение данных; управление монохроматором; задание параметров эксперимента; выбор диапазона сканирования; установка времени интегрирования / количества накоплений; картирование данных

1.Slow colloidal growth of PbSe nanocrystals for facile morphology and size control
Colloidal growth of PbSe nanosheets and finely size-tuned PbSe nanocrystals (NCs) via simple control of reaction parameters
Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)

2.Influence of annealing temperature on ZnO thin films grown by Dual Ion Beam Sputtering
Influence of annealing temperature on ZnO thin films grown by Dual Ion Beam Sputtering
Indian Institute of Technology

3.Comparison of porous silicon prepared using metal - induced etching (MIE) and laser - induced etching (LIE)
Vertically aligned Si nanowires can be used for eld emission application
Indian Institute of Technology Indore