ИК детекторы

  • Регистрация оптического излучения в ближней инфракрасной области (от 0,9 до 2,6 мкм)
  • инфракрасной (от 1,5 до 5,5 мкм)
  • дальней инфракрасной области (до 40 мкм)

Производитель SOL instruments

Особенности

Мы предлагаем детекторы фирмы "Electro-Optical Systems Inc.", США - одного из мировых лидеров по производству фотоприемников для широкого спектрального диапазона и детекторов на их базе, а также различных электронных компонентов.

Подробную информацию о всех детекторах Вы можете найти в соответствующем разделе, либо прислав запрос нам. Наши специалисты помогут подобрать к любому из монохроматоров детектор из модельного ряда EOS, который будет наилучшим образом отвечать требованиям Вашей задачи и области применения.

При регистрации спектров с помощью детекторов на базе фотодиодов, детектор устанавливается непосредственно за выходной щелью монохроматора. Для детекторов с приемной площадкой размером менее 5 мм необходимо использовать специальный узел сопряжения, который с помощью тороидального зеркала переносит изображение выходной щели на фоточувствительную поверхность приемника излучения. В этом случае все выходное излучение монохроматора попадает на приемную площадку приемника излучения без потерь.

Неотъемлемой частью системы регистрации с использованием детекторов на базе фотодиодов является плата АЦП (аналого-цифровой преобразователь). Эту плату мы предлагаем в качестве опции вместе с нашими сканирующими монохроматорами. Плата принимает электрические сигналы с фотоприемников и обрабатывает их с помощью
16-разрядного аналого-цифрового преобразователя. Плата АЦП встраивается внутрь спектрального прибора.

Технические характеристики

Модель детектора Тип фотоприемника Спектральный диапазон чувствительности Чувствительность Тип системы охлаждения Размер фоточувствительной площадки
IGA-020-TE2-H InGaAs фотодиод 0.8 – 1.7 мкм 0.9 x 108 В/Вт Пельтье Ø 2 мм 
IGA-050-TE2-H InGaAs фотодиод 0.8 – 1.7 мкм 0.9 x 108 В/Вт Пельтье  Ø 5 мм
G-050-TE2-H Ge фотодиод 0.8 – 1.8 мкм 0.9 x 107 В/Вт Пельтье  Ø 5 мм 
IGA2.2-030-TE2-H Ex-InGaAs фотодиод 1.2 – 2.5 мкм 1.2 x 106 В/Вт Пельтье Ø 3 мм 
IA-020-TE2-H InAs фотодиод 1.0 – 3.5 мкм 0.8 x 104 В/Вт Пельтье Ø 2 мм 
MCT5-020-TE2-H HgCdTe фотосопротивление 1 – 5 мкм 104 В/Вт Пельтье  2 х 2 мм 
MCT20-010-E-LN6 HgCdTe фотосопротивление 2 – 20 мкм 105 В/Вт Криостат  1 х 1 мм