Нажимая кнопку «Подписаться», вы принимаете условия «Соглашения на обработку персональных данных».
Вебинар «Внутренняя электрическая характеризация двумерных дихалькогенидов переходных металлов с помощью сканирующей зондовой микроскопии»
1 Декабря 2021 г. 13:00 – 14:00 (Москва)
Приглашенный докладчик: доктор Yuanyuan Shi, imec, Бельгия
В обычном планарном кремниевом полевом транзисторе (FET) управляемость затвором становится слабее, когда его поперечный размер становится меньше, чем толщина транзистора, что приводит к неблагоприятным эффектам короткого канала, включая ток утечки, насыщение подвижности носителей в канале, канальная деградация горячих носителей и зависящий от времени пробой диэлектрика. Следовательно, необходимо уменьшить толщину корпуса транзистора, чтобы обеспечить эффективное электростатическое управление затвором.
Из-за атомной толщины и ненасыщенной связи двумерных (2D) материалов теоретические исследования показали, что, в частности, двумерные дихалькогениды переходных металлов (TMD) могут превосходить кремний в качестве материала канала, обеспечивать масштабирование на атомном уровне, отличное управление электростатическим затвором, снизить энергопотребление в отключенном состоянии и еще больше расширить закон Мура.
Подходящие методы для характеристики внутренних физических и электрических свойств 2D-материалов после осаждения являются ключевым звеном между качеством осажденных 2D-материалов и характеристиками электронных устройств на основе этих материалов. Эта связь может помочь нам лучше понять, контролировать и улучшить производительность устройств на основе 2D-материалов. Однако методы анализа внутренних электрических свойств осажденных 2D-материалов в наномасштабе без каких-либо процессов переноса и формирования рисунка ограничены.
В данном вебинаре будет продемонстрировано, как сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) используется для исследования внутренних электрических свойств осажденных 2D TMD. Проводящий атомно-силовой микроскоп (C-AFM) работает непосредственно на поверхности выращенных 2D-материалов без какого-либо рисунка. C-AFM позволяет соотносить электропроводность выращенных 2D-материалов с их топографией, тем самым связывая электрические свойства 2D-материалов с их физическими свойствами, такими как толщина слоя, химические связи и т.п. При всем этом C-AFM дает исчерпывающую информацию об осажденных 2D-материалах и помогает оценить влияние их внутренних свойств на наноэлектронику на основе 2D-материалов.