Подписка на новые статьи


Нажимая кнопку «Подписаться», вы принимаете условия «Соглашения на обработку персональных данных».

Вебинар «Силовая микроскопия с зондом Кельвина для изучения энергетических уровней и переноса заряда в полупроводниковых тонких пленках»

05.05.2021

изучение энергетических уровней и переноса заряда в полупроводниковых тонких пленках

12 Мая 2021 г. 12:00 – 13:00 (Москва)

ЗАРЕГИСТРИРОВАТЬСЯ

Приглашенный докладчик: профессор Тобиас Крамер, Кафедра физики и астрономии, Болонский университет, Viale Berti Pichat 6/2, Италия

Тонкие полупроводниковые пленки с заданными электрическими и механическими свойствами лежат в основе новых приложений в различных областях, таких как гибкая электроника, оптоэлектроника или биоэлектронные датчики. Исследования в области осаждения и обработки материалов предоставляют постоянно расширяющийся арсенал методов, позволяющих точно настраивать основные свойства полупроводников. Чтобы улучшить опыт создания таких устройств, необходимы методы наномасштабного контроля для получения характеристик, которые выявляют морфологию и в то же время обеспечивают доступ к локальным электромеханическим характеристикам, обеспечивая средства для проверки эффективности и однородности методов обработки.

В ходе данного вебинара будет представлено два примера из работы научной группы, которые иллюстрируют силовую микроскопию с зондом Кельвина (KPFM) для определения характеристик новых тонких полупроводниковых пленок. В первом примере представлено исследование молекулярной обработки поверхности для смещения энергии работы выхода галогенидного перовскита на интервал, превышающий 1.0 эВ [1]. Такой беспрецедентный контроль уровней энергии оказывает значительное влияние на исследования перовскитных солнечных элементов и детекторов. Второй пример познакомит вас с характеристиками локальных транспортных свойств в печатных органических полупроводниковых микрокристаллах [2, 3]. Здесь KPFM позволяет разрешить эволюцию линий разрушения в наномасштабе, вызванную поверхностной деформацией во время изгиба. С помощью KPFM можно определить высоту барьера для транспортировки через такие трещины и рационализировать их влияние на износ устройства в приложениях гибкой электроники.

  1. L. Canil et al., Tuning halide perovskite energy levels. Energy Environ. Sci. (2021), doi:10.1039/d0ee02216k
  2. S. Lai et al., Morphology Influence on the Mechanical Stress Response in Bendable Organic Field-Effect Transistors with Solution-Processed Semiconductors. Adv. Electron. Mater. 1700271, 1–9 (2017)
  3. T. Cramer et al., Direct imaging of defect formation in strained organic flexible electronics by Scanning Kelvin Probe Microscopy. Sci. Rep. 6, 38203 (2016)

Теоретическое введение вебинара будет представлено Ilka Hermes – главным ученым по поддержке научного сотрудничества для создания новых исследовательских проектов, Park Systems Europe, Мангейм, Германия.