Измерение напряжения смещения (BiasMDP)

Качество пассивации поверхности диэлектриков приобретает все большее значение, особенно в области фотовольтаики. Из-за новых концепций в области солнечных элементов, таких как PERC или IBC, и растущей потребности в солнечных элементах с высокой эффективностью необходим инструмент для быстрой характеризации пассивирующих слоев. Измеритель модели MDPmap с опцией BiasMDP позволяет удовлетворить данную потребность.

Поверхностные пассивирующие диэлектрические слои создают химическую и полевую пассивацию. Оба эти механизма могут быть описаны через параметры D_it­ (плотность межфазных ловушек) и Q_fix (плотность статических зарядов), определяемые с помощью BiasMDP. В данном режиме подается напряжение смещения, которое компенсирует фиксированные заряды и в конечном итоге приводит к сильной инверсии. Время жизни неосновных носителей заряда измеряется для различных напряжений смещения и кривой времени жизни (см. рис. 1). Путем проведения дополнительного измерения с переменной инжекцией из данной кривой могут быть определены D_it­ и Q_fix.

Рис. 1. Типовая эффективная кривая времени жизни как функция приложенного напряжения смещения.

1. Низкая рекомбинация из-за полевой пассивации () и химической пассивации ().

накопление τ₀

1. Компенсация
2. только химическая пассивация

→ рекомбинация на межфазных дефектах

• возможность применения SRH теории

1. Сильная инверсия

Новый метод измерения показывает очень хорошую корреляцию результатов со стандартным методом изменения электрической емкости (C[V]) – были измерены сравнимые напряжения в зависимости от различной толщины оксида.

Измерители электрических свойств полупроводников