Измерение напряжения смещения (BiasMDP)

Качество пассивации поверхности диэлектриков приобретает все большее значение, особенно в области фотовольтаики. Из-за новых концепций в области солнечных элементов, таких как PERC или IBC, и растущей потребности в солнечных элементах с высокой эффективностью необходим инструмент для быстрой характеризации пассивирующих слоев. Измеритель модели MDPmap с опцией BiasMDP позволяет удовлетворить данную потребность.

Поверхностные пассивирующие диэлектрические слои создают химическую и полевую пассивацию. Оба эти механизма могут быть описаны через параметры Dit­ (плотность межфазных ловушек) и Qfix (плотность статических зарядов), определяемые с помощью BiasMDP. В данном режиме подается напряжение смещения, которое компенсирует фиксированные заряды и в конечном итоге приводит к сильной инверсии. Время жизни неосновных носителей заряда измеряется для различных напряжений смещения и кривой времени жизни (см. рис. 1). Путем проведения дополнительного измерения с переменной инжекцией из данной кривой могут быть определены Dit­ и Qfix.

Типовая эффективная кривая времени жизни как функция приложенного напряжения

Рис. 1. Типовая эффективная кривая времени жизни как функция приложенного напряжения смещения.

  1. Низкая рекомбинация из-за полевой пассивации () и химической пассивации ().

накопление τ0

  1. Компенсация
  2. только химическая пассивация

→ рекомбинация на межфазных дефектах

  • возможность применения SRH теории
  1. Сильная инверсия

Новый метод измерения показывает очень хорошую корреляцию результатов со стандартным методом изменения электрической емкости (C[V]) – были измерены сравнимые напряжения в зависимости от различной толщины оксида.

Сравнение режимов

Измерители электрических свойств полупроводников

  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 50 × 50 мм до 210 × 210 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 5 × 5 мм до Ø300 мм (до Ø450 мм по запросу)
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм
     
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 50 × 50 мм до 156 × 156 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм или от Ø100 мм до Ø450 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм
Узнать цену