Анализ GaAs

Помимо кремния GaAs является одним из важнейших материалов в современных технологических процессах – в связи с этим требуется метод и инструментарий для анализа качества данного материала. Поскольку GaAs – это прямозонный полупроводник, рекомбинационное время жизни носителей в нем очень мало и часто не может быть измерено методами, основанными на фотопроводимости. Однако более медленное убывание заряда, происходящее из ловушек, таких как хорошо известная EL2, может быть исследовано.

В отличие от других методов, MD-PICTS метод может обнаруживать сигналы даже из тонких поверхностных областей (до 3 мкм) образцов Si/GaAs и, как следствие, позволяет анализировать, например, влияние метода обработки поверхности на свойства материала. На рис. 1 показан пик дефекта EL2 в образцах с различными концентрациями акцептора.

Обнаружение  дефекта в  образцах с различными концентрациями акцептора

Рис. 1. Обнаружение EL2 дефекта в Si/GaAs образцах с различными концентрациями акцептора методом MD-PICTS: высота пика и его знак соответствуют концентрации акцептора.

Измерители электрических свойств полупроводников

  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1010 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость, эмиссионные постоянные
  • Размер образцов: от 5 × 5 мм до 20 × 20 мм
Узнать цену