Измеритель времени жизни неосновных носителей заряда с температурной зависимостью MDpicts
- Удельное сопротивление: 0.2 – 1010 Ом·см, p/n-тип проводимости
- Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость, эмиссионные постоянные
- Размер образцов: от 5 × 5 мм до 20 × 20 мм
Производитель Freiberg Instruments
Описание
MDpicts измеритель представляет собой компактный прибор настольного типа для бесконтактного измерения температурно-зависимого времени жизни неосновных носителей заряда и электрических свойств межфазных ловушек полупроводников MD-PICTS методом. MDpicts позволяет измерять такие материалы, как кремний, составные полупроводники, оксиды, материалы с широкой запрещенной зоной, первоскиты и эпитаксиальные слои (CdTe, InP, ZnS, SiC, GaAs, GaN, Ge, HgCdTe).
Отличительные особенности
- Чувствительность: высочайшая чувствительность для анализа электрических дефектов
- Температурный диапазон: возможность проведения измерений от температуры жидкого азота (77K) до 500K (227°C); опционально доступно измерения с помощью жидкого гелия (4K) или при более высоких температурах
- Широкий диапазон измерения коэффициента затухания: от 20 нс до нескольких мс
- Определение загрязнений: измерение фундаментальных свойств энергетических ловушек: энергия активации и поперечное сечение захвата; температурно- и инжекционно-зависимые измерения времени жизни носителей заряда
- Воспроизводимость: высокая повторяемость измерений >99.5% в течение 60 минут работы; расход жидкого азота: 2 л/измерение
- Гибкость: возможность выбора различных источников возбуждения (от 365 нм до 1480 нм) в зависимости от типа исследуемого материала
- Сетевой доступ: IP-протоколирование для удаленной технической и сервисной поддержки
Области применения
- Анализ свойств полупроводников и улучшение технологического процесса изготовления
- Возможность идентификации дефектов по анализу межфазных ловушек
- Релаксационная спектроскопия глубоких уровней (DLTS)
- Анализ GaAs
- Анализ InP
Пример MD-PICTS спектра Cz-Si при различных температурах
Анализ температурно-зависимого изменения переходной фотопроводимости для определения энергии активации (аналогично релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS))
MD-PICTS температурный спектр: каждый пик соответствует электрическому дефекту
График Аррениуса: по наклону кривой может быть определена энергия активации
Конфигурационные опции
- Электрические контакты для стандартных PICTS измерений
- Электрические контакты для DLTS измерений (требуется дополнительный емкостной мост)
- LBIC измерения (измерение тока, наведенного лазерным излучением) при температуре жидкого азота: без и с пространственным разрешением (5 мкм)
Характеристики
| Размер образцов | От 5 × 5 мм до 20 × 20 мм |
| Диапазон измерения времени жизни | От 20 нс до нескольких мс |
| Удельное сопротивление | 0.2 – 1010 Ом·см, p/n-тип проводимости |
| Материалы | Кремний, составные полупроводники, оксиды, материалы с широкой запрещенной зоной, первоскиты и эпитаксиальные слои |
| Измеряемые параметры | Время жизни носителей заряда, фотопроводимость, эмиссионные постоянные |
| Длина волны возбуждения | 980 нм по умолчанию; возможность выбора в диапазоне от 365 нм до 1480 нм |
| Габаритные размеры | 450 × 300 × 330 мм |
| Вес | ≈ 25 кг |
| Напряжение питания | 100 – 250 В переменного тока, 5 А, 50/60 Гц |
| Требования к ПК | Windows 7 (или выше); пакет .NET Framework; 2 Ethernet порта |
Программное обеспечение PICTSStudio
Анализ GaAs
Помимо кремния GaAs является одним из важнейших материалов в современных технологических процессах – в связи с этим требуется метод и инструментарий для анализа качества данного материала. Подробнее...
Анализ InP
InP широко используется в высокочастотной технике, например, для лазеров, оборудования связи и при производстве интегральных микросхем. Следовательно, для данного материала, как и для других полупроводников, необходимо наличие методов для контроля качества и анализа дефектов. Подробнее...
1. Bastian Berger, Nadine Schüler, Sabrina Anger, Bianca Gründig-Wendrock, Jürgen R. Niklas, Kay Dornich: Contactless electrical defect characterization in semiconductors by microwave detected photo induced current transient spectroscopy (MD-PICTS) and microwave detected photoconductivity (MDP)
2. S. Schmerler, T. Hahn, S. Hahn, J.R. Niklas, B. Gründig Wendrock: Explanation of positive and negative PICTS peaks in SI-GaAs; J. Mater Sci: Mater Electron
3. K. Dornich, K. Niemietz, Mt. Wagner, J.R. Niklas: Contact less electrical defect characterisation of silicon by MD-PICTS; Material Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 241-245
4. B. Grundig-Wendrock, M. Jurisch, and J. R. Niklas, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology 91, 371-375 (2002)
5. S. Hahn, F. Beyer, A. Gällström, P. Carlsson, A. Henry, B. Magnusson, J. R. Niklas, and E. Janzen, Materials Science Forum 600-603, 405-408 (2009)
