Определение времени жизни носителей эпитаксиальных кремниевых тонкопленочных слоев

В фотоэлектрической и микроэлектронной промышленности существует множество областей применения, где используются тонкие эпитаксиальные слои. Из-за этого необходимо контролировать их качество бесконтактными и неразрушающими методами для определения времени жизни неосновных носителей заряда.

С помощью MDP метода имеется возможность измерения времени жизни неосновных носителей заряда и фотопроводимости в эпитаксиальных слоях настолько быстро и точно, насколько это возможно и с высоким разрешением.

Измерение эпитаксиальных слоев и определение их качество является огромной проблемой для различных методов измерения времени жизни, поскольку интенсивность сигнала очень мала и результаты очень трудно интерпретировать из-за множества рекомбинационных ловушек.

Рекомбинационная ловушка, влияющая на измерение времени жизни

Рис. 1. Рекомбинационная ловушка, влияющая на измерение времени жизни.

С помощью моделей MDPmap и MDPpro, за счет интеграции до 4 лазерных источников, имеется возможность проведения измерений с различной длительностью импульса: от очень коротких импульсов в 100 нс, когда диффузия носителей заряда не происходит, до длинных импульсов в несколько мс, когда носители заряда диффундируют в глубину образца. Следовательно, изменяя длину волны лазера и длительность импульса, имеется возможность проводить измерения с различной глубиной проникновения и по результатам времени жизни определить, какие из ловушек являются наиболее доминирующими. На рис. 2 показаны примеры измерения серии образцов с различным качеством подложки и толщиной эпитаксиального слоя, демонстрирующие зависимость измеренного времени жизни носителей от типа подложки, качества границы раздела и поверхности.

Измерение времени жизни для образцов с различным качеством подложек и толщиной эпитаксиального слоя

Рис. 2. Измерение времени жизни для образцов с различным качеством подложек и толщиной эпитаксиального слоя.

Измерители электрических свойств полупроводников

  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 50 × 50 мм до 210 × 210 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 5 × 5 мм до Ø300 мм (до Ø450 мм по запросу)
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм
     
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 50 × 50 мм до 156 × 156 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм или от Ø100 мм до Ø450 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм
Узнать цену