Измерение тока, наведенного лазерным излучением (LBIC)

Измерение токов, индуцированных световым излучением, является хорошо известным методом, в первую очередь, в фотоэлектрическом секторе для пространственно разрешенного измерения рекомбинационно активных дефектов в готовых солнечных элементах.

Процедура основана на измерении локального тока короткого замыкания ISC в элементе, который вырабатывается путем соответствующего возбуждения. Для измерения солнечный элемент локально облучается лазерным излучением. Преимуществами являются простое наращивание и высокое разрешение, недостатком – необходимость контакта с образцом. По этой причине можно исследовать только готовые элементы. В результате имеется возможность оценки срока службы и наличия дефектов.

По измеренному току может быть рассчитана внешняя квантовая эффективность (EQE) по следующей формуле:

внешняя квантовая эффективность                                                                                                                                                                                                                

,где P – мощность лазера, λ – длина волны излучения.

EQE зависит не только от объемных свойств ячейки солнечного элемента, но также и от отражательных свойств поверхности. В случае, если отражением можно пренебречь, то внешнюю квантовую эффективность будут определять следующие механизмы:

  • Рекомбинация неосновных носителей в объеме
  • Рекомбинация неосновных носителей на верхней и нижней поверхностях
  • Шунтирование в солнечном элементе

Внутренняя квантовая эффективность (IQE) включает в себя компоненту отражения света на поверхности и определяется по следующей формуле:

Внутренняя квантовая эффективность

Для того, чтобы определить диффузионную длину необходимо измерить IQE минимум на четырех длинах волн, которые должны отличаться по глубине проникновения. Величина наклона графика зависимости «1/IQE» от «1/a» является обратной величиной эффективной длины диффузии.

Внутренняя квантовая эффективность солнечного элемента, измеренная на 4 разных длинах волн

Внутренняя квантовая эффективность солнечного элемента, измеренная на 4 разных длинах волн

Внутренняя квантовая эффективность солнечного элемента, измеренная на 4 разных длинах волн

Измерители электрических свойств полупроводников

  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 50 × 50 мм до 210 × 210 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 5 × 5 мм до Ø300 мм (до Ø450 мм по запросу)
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм
     
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 50 × 50 мм до 156 × 156 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм или от Ø100 мм до Ø450 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм
Узнать цену