Измерение фотопроводимости легированных веществ/структур

Легирование бором и фосфором используется для многих применений в микроэлектронной промышленности, но до сих пор не было способа проверить однородность данного легирования без прямого контактна с образцами и изменения их свойств из-за необходимости в отжиге. Основная трудность заключалась в том, что легируемая область обычно находится на глубине всего лишь несколько мкм, а дозы самих элементов очень малы. Метод MDP позволяет исследовать такие легированные образцы с высоким разрешением и хорошим разграничением между различными легированными дозами.

В данном случае для обнаружения неоднородности легирующих элементов основным и самым чувствительным параметром является не время жизни, а фотопроводимость. А она сильно зависит от удельного сопротивления и времени жизни.

С помощью моделей MDPmap и MDPpro, за счет интеграции до 4 лазерных источников, имеется возможность проведения измерений с различной длительностью импульса: от очень коротких импульсов в 100 нс, когда диффузия носителей заряда не происходит, до длинных импульсов в несколько мс, когда носители заряда диффундируют в глубину образца. Следовательно, изменяя длину волны лазера и длительность импульса, имеется возможность проводить измерения с различной глубиной проникновения.

Для одного из экспериментов был выбран лазер с длиной волны 660 нм и длительностью импульса 100 нс; следовательно, глубина проникновения составляла приблизительно 4 мкм. На рис. 1 отображены легированные дозы фосфора в измеряемом образце Cz-si, а на рис. 2 показано, как разные дозы можно различить путем измерения фотопроводимости.

Различное легирование фосфором на глубину порядка 2 мкм

Рис. 1. Различное легирование фосфором на глубину порядка 2 мкм.

Измеренная фотопроводимость подложки с различной концентрацией легирующего компонента

Рис. 2. Измеренная фотопроводимость подложки с различной концентрацией легирующего компонента.

Измерение фотопроводимости легированных веществ

Измерители электрических свойств полупроводников

  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 50 × 50 мм до 210 × 210 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 5 × 5 мм до Ø300 мм (до Ø450 мм по запросу)
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм
     
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 50 × 50 мм до 156 × 156 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм или от Ø100 мм до Ø450 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм
Узнать цену