Измерение сопротивления подложек

Удельное сопротивление является одним из важнейших электрических параметров материала. И это ключевой параметр для оценки производительности полупроводниковых устройств, таких как солнечные элементы, зависящий от концентрации легирующей примеси. Поэтому необходимо измерять удельное сопротивление с высокой точностью и высоким разрешением, чтобы иметь возможность обнаруживать неоднородности по плотности легирующих материалов.

С помощью наших измерителей моделей MDPmap и MDPpro возможно измерение удельного сопротивления подложек или брусков с высокой точностью и разрешением 1 мм с помощью метода вихревых токов. Сенсор вихревых токов имеет очень хорошую долговременную стабильность благодаря внутренней калибровочной матрице с корреляцией по расстоянию. Следовательно, при картировании удельного сопротивления также измеряется геометрическая карта плоскостности поверхности. Удельное сопротивление может быть измерено одновременно с измерением времени жизни неосновных носителей заряда и фотопроводимости. При измерении пластин необходимо указывать ее толщину.

Отличительные особенности метода

Шаг сканирования: ≥ 1 мм
Исключение анализа по краю: 12 мм
Диапазон толщин подложек: 150 – 250 мкм
Диапазон измерений по умолчанию: 0.5 – 5 Ом·см
Точность: не менее 5%
Воспроизводимость: не менее 1%

Также имеется возможность картирования удельного сопротивления поверхностного слоя эмиттера, чтобы исследовать однородность эмиттерной диффузии. Удельное сопротивление основания должно быть указано конечным пользователем.

Диапазон измерений: 0.1 – 200 Ом/кв
Точность:

не менее 3% для 0.1 – 10 Ом/кв

не менее 4% для 10 – 100 Ом/кв

не менее 5% для 100 – 200 Ом/кв

На рисунках ниже представлены результаты картирования удельного сопротивления mc-Si подложек и брусков.

Рис. 1. Карта удельного сопротивления поверхностного слоя эмиттера типовой mc-Si подложки: усредненное поверхностное сопротивление составляет 85.1 Ом/кв

Рис. 2. Карта удельного сопротивления типовой mc-Si подложки для солнечного элемента: усредненное сопротивление составляет 1.0 Ом·см

Рис. 3. Карта удельного сопротивления типового mc-Si бруска для солнечного элемента: усредненное сопротивление составляет 1.4 Ом·см