Измерение сопротивления подложек

Удельное сопротивление является одним из важнейших электрических параметров материала. И это ключевой параметр для оценки производительности полупроводниковых устройств, таких как солнечные элементы, зависящий от концентрации легирующей примеси. Поэтому необходимо измерять удельное сопротивление с высокой точностью и высоким разрешением, чтобы иметь возможность обнаруживать неоднородности по плотности легирующих материалов.

С помощью наших измерителей моделей MDPmap и MDPpro возможно измерение удельного сопротивления подложек или брусков с высокой точностью и разрешением 1 мм с помощью метода вихревых токов. Сенсор вихревых токов имеет очень хорошую долговременную стабильность благодаря внутренней калибровочной матрице с корреляцией по расстоянию. Следовательно, при картировании удельного сопротивления также измеряется геометрическая карта плоскостности поверхности. Удельное сопротивление может быть измерено одновременно с измерением времени жизни неосновных носителей заряда и фотопроводимости. При измерении пластин необходимо указывать ее толщину.

Отличительные особенности метода

  • Шаг сканирования: ≥ 1 мм
  • Исключение анализа по краю: 12 мм
  • Диапазон толщин подложек: 150 – 250 мкм
  • Диапазон измерений по умолчанию: 0.5 – 5 Ом·см
  • Точность: не менее 5%
  • Воспроизводимость: не менее 1%

Также имеется возможность картирования удельного сопротивления поверхностного слоя эмиттера, чтобы исследовать однородность эмиттерной диффузии. Удельное сопротивление основания должно быть указано конечным пользователем.

  • Диапазон измерений: 0.1 – 200 Ом/кв
  • Точность:

не менее 3% для 0.1 – 10 Ом/кв

не менее 4% для 10 – 100 Ом/кв

не менее 5% для 100 – 200 Ом/кв

На рисунках ниже представлены результаты картирования удельного сопротивления mc-Si подложек и брусков.

Карта удельного сопротивления поверхностного слоя эмиттера

Рис. 1. Карта удельного сопротивления поверхностного слоя эмиттера типовой mc-Si подложки: усредненное поверхностное сопротивление составляет 85.1 Ом/кв

Карта удельного сопротивления типовой mc-Si подложки

Рис. 2. Карта удельного сопротивления типовой mc-Si подложки для солнечного элемента: усредненное сопротивление составляет 1.0 Ом·см

Карта удельного сопротивления типового mc-Si бруска для солнечного элемента

Рис. 3. Карта удельного сопротивления типового mc-Si бруска для солнечного элемента: усредненное сопротивление составляет 1.4 Ом·см

Измерители электрических свойств полупроводников

  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 50 × 50 мм до 210 × 210 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 5 × 5 мм до Ø300 мм (до Ø450 мм по запросу)
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм
     
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 50 × 50 мм до 156 × 156 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм или от Ø100 мм до Ø450 мм
Узнать цену
  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1000 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость
  • Размер образцов: от 125 × 125 мм до 210 × 210 мм
Узнать цену