Описание
Описание
- Измерение зависимости выходной мощности от тока: Относительную выходную мощность лазерного диода можно измерить в зависимости от тока инжекции. Ток лазерного диода либо ступенчато увеличивается в настройках контроллера, либо может периодически увеличиваться и уменьшаться внутренним модулятором контроллера. Относительная мощность лазера измеряется фотодиодным детектором и оцениваются такие параметры, как порог лазерной генерации и эффективность наклона кривой выходной мощности лазера.
- Спектр поглощения/флуоресценции Nd:YAG кристалла: Измеряется спектр поглощения кристалла Nd:YAG в зависимости от температуры лазерного диода. Используя известные линии поглощения Nd:YAG, измеряют пропускаемую интенсивность или интенсивность флуоресценции кристалла. Изменяя температуру лазерного диода, его длина волны излучения сдвигается.
- Зависимость длины волны от тока накачки диода: Для лазерных диодов характерно увеличение длины волны пропорционально увеличению мощности. Чтобы компенсировать такое поведение, необходимо изменять его температуру. Работа на постоянной длине волны реализуется за счет работы при минимальном поглощении (т. е. максимальном пропускании) и оптимизации температуры и тока накачки для максимального пропускания.
- Измерение времени жизни люминесценции: Уровень 4F3/2 является начальным уровнем для излучения на длине волны 1064 нм. Обнаруживается время жизни флуоресценции кристалла Nd:YAG при накачке лазерным диодом. Ток диода модулируется через TTL и измеряется кривая затухания флуоресценции.
- Демонстрация пичкового режима генерации: Демонстрируется пичковый режим работы лазера как результат его включения. При работе вблизи порогового уровня генерации лазерного излучения и в режиме прямоугольной модуляции отчетливо наблюдается пичковый эффект и их затухание.
- Выходная мощность Nd:YAG лазера в зависимости от мощности накачки: Используя режим треугольной модуляции тока диода накачки, мощность Nd:YAG лазера может быть представлена как функция мощности диода накачки. Определяются такие параметры, как порог лазерной генерации и эффективность наклона кривой выходной мощности лазера. Изменяя длину резонатора лазера, эти параметры можно оценить с точки зрения диапазона устойчивости резонатора.
Другие приборы раздела «Лабораторные лазеры»Все приборы раздела
- Оптическая плита, 700 × 500 мм
- Волоконный лазерный диод (980 нм, 100 мВт), интегрированный в LDS 1200 контроллер лазерного диода с встроенными модулятором тока, усилителем сигнала фотодиода и температурным контроллером
- Спектральный мультиплексор разделения по длинам волн (980/1550 нм)
- Волоконный барабан с четырьмя эрбиевыми волокнами (1 – 4 м)
- Оптический рельс со шкалой, 500 мм
- Лазерный диод (450 мВт) со TE-охладителем в регулируемом по XY держателе
- Блок питания LDS 1200 с микропроцессорным управлением, TE контроллером, встроенным модулятором тока и усилителем сигнала фотодиода
- Оптика для формирования профиля пучка диода накачки в держателе
- Несколько типов резонаторов с длиной волны излучения 632.8 нм
- He-Ne лазер с двулучепреломляющим фильтром для перестройки по длине волны на 611.8 нм, 629.8 нм, 632.8 нм, 635.2 нм и 640.1 нм
- He-Ne лазер с одномодовым эталоном для работы в одномодовом режиме (SLM)
- Все необходимые оптические и механические компоненты в комплекте
