InGaAs фотодиоды

InGaAs PIN-фотодиоды Wing Chip работают в ближнем и среднем ИК-диапазоне: стандартные модели перекрывают область 900–1740 нм, расширенные версии — до 2200 и 2600 нм. Фотодиоды отличаются высокой токовой чувствительностью (до 1–1,2 А/Вт), низким темновым током и различным размером активной площадки (от 200 до 2000 мкм), что упрощает оптическое согласование. Базовое исполнение — TO-корпус (преимущественно TO-46) с окном; также доступны варианты с шаровой линзой и термо-электрическим охлаждением.
Типовые применения — ближняя ИК-спектроскопия и газоанализ (включая детектирование CO и CO₂, CH4), контроль лазерного излучения на телекоммуникационных длинах волн 1310/1550 нм, измерители оптической мощности, мониторинг технологических процессов и научное приборостроение. Возможна поставка как единичных образцов для макетирования, так и партий для мелкосерийного производства.

Модель Тип Технический проспект Активная область Рабочий диапазон Пиковая длина волны Пиковая чувствит. Темновой ток (макс.) Корпус Размер чипа
WIMT-01A InGaAs PD
Скачать PDF		 200 × 200 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА TO-46 310 × 310 мкм
WIT3-500A InGaAs PD
Скачать PDF		 500 × 500 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.05 А/Вт 1 нА TO-46 650 × 650 мкм
WIT3-1000A InGaAs PD
Скачать PDF		 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT3-1000B InGaAs PD
Скачать PDF		 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT3-1000BA InGaAs Big Ball PD
Скачать PDF		 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT4-1000L InGaAs PIN PD
Скачать PDF		 1000 × 1000 мкм 900 – 2200 нм 2004 нм 1.2 А/Вт 9000 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT4-1000G InGaAs PD
Скачать PDF		 1000 × 1000 мкм 900 – 2200 нм 2004 нм 1.0 А/Вт 9000 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT5-1000G InGaAs 2600 PD
Скачать PDF		 1000 × 1000 мкм 900 – 2600 нм 2330 нм 1.0 А/Вт 50000 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIMT-01AX InGaAs PD
Скачать PDF		 200 × 200 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА TO-46 310 × 310 мкм
WIT3-300AX InGaAs PD
Скачать PDF		 300 × 300 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА TO-46 430 × 430 мкм
WIT3-2000B InGaAs PIN
Скачать PDF		 2000 × 2000 мкм 800 – 1740 нм — 0.9 А/Вт 20 нА TO-5 2300 × 2300 мкм
WIS3-300A InGaAs PD
Скачать PDF		 300 × 300 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА SMD 410 × 410 мкм
WIT3-1000L InGaAs PD
Скачать PDF		 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT3-1000B5

InGaAs PD
Скачать PDF		 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА TO-5 1150 × 1150 мкм
WIT3-500C1 InGaAs PD
Скачать PDF		 500 × 500 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 1 нА TO-46 650 × 650 мкм
WET5-1000B InGaAs PD
Скачать PDF		 1000 × 1000 мкм 900 – 2600 нм 2330 нм 1.0 А/Вт 50000 нА TO-60 1150 × 1150 мкм
WET3-1000B InGaAs TEC PD
Скачать PDF		 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 5 нА TO-60 1150 × 1150 мкм
WIT3-2000L InGaAs PD
Скачать PDF		 2000 × 2000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 20 нА TO-5 2300 × 2300 мкм