InGaAs фотодиоды

  • Спектральная чувствительность: 900 – 2600 нм
  • Низкий уровень шума и высокая чувствительность
  • Фоточувствительная зона от 200 мкм
  • Различная архитектура корпуса

Высокоскоростные, высокочувствительные, с низким уровнем шума InGaAs фотодиоды для ближней ИК области спектра. Имеют спектральный диапазон чувствительности от 900 до 2600 нм и различную архитектуру корпуса. Возможна кастомизация.

Модель Тип Активная область Рабочий диапазон Пиковая длина волны Пиковая чувствит. Темновой ток (макс.) Корпус Размер чипа
WIMT-01A InGaAs PD 200 × 200 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА TO-46 310 × 310 мкм
WIT3-500A InGaAs PD 500 × 500 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.05 А/Вт 1 нА TO-46 650 × 650 мкм
WIT3-1000A InGaAs PD 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT3-1000B InGaAs PD 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT3-1000BA InGaAs Big Ball PD 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT4-1000L InGaAs PIN PD 1000 × 1000 мкм 900 – 2200 нм 2004 нм 1.2 А/Вт 9000 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT4-1000G InGaAs PD 1000 × 1000 мкм 900 – 2200 нм 2004 нм 1.0 А/Вт 9000 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT5-1000G InGaAs 2600 PD 1000 × 1000 мкм 900 – 2600 нм 2330 нм 1.0 А/Вт 50000 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIMT-01AX InGaAs PD 200 × 200 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА TO-46 310 × 310 мкм
WIT3-300AX InGaAs PD 300 × 300 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА TO-46 430 × 430 мкм
WIT3-2000B InGaAs PIN 2000 × 2000 мкм 800 – 1740 нм — 0.9 А/Вт 20 нА TO-5 2300 × 2300 мкм
WIS3-300A InGaAs PD 300 × 300 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА SMD 410 × 410 мкм
WIT3-1000L InGaAs PD 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА TO-46 1150 × 1150 мкм
WIT3-1000B5 InGaAs PD 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА TO-5 1150 × 1150 мкм
WIT3-500C1 InGaAs PD 500 × 500 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 1 нА TO-46 650 × 650 мкм
WET5-1000B InGaAs PD 1000 × 1000 мкм 900 – 2600 нм 2330 нм 1.0 А/Вт 50000 нА TO-60 1150 × 1150 мкм
WET3-1000B InGaAs TEC PD 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 5 нА TO-60 1150 × 1150 мкм
WIT3-2000L InGaAs PD 2000 × 2000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 20 нА TO-5 2300 × 2300 мкм