InGaAs фотодетекторные чипы

  • Спектральная чувствительность: 900 – 2600 нм
  • Низкий уровень шума
  • Фоточувствительная зона от 200 мкм

Высокоскоростные, с низким уровнем шума InGaAs чипы для ближней ИК области спектра. Имеют спектральный диапазон чувствительности от 900 до 2600 нм и фоточувствительную зону от 200 мкм до 10 мм. Возможна кастомизация.

Модель Тип Активная область Рабочий диапазон Пиковая длина волны Пиковая чувствит. Темновой ток (макс.) Емкость Размер чипа
WIR3-01B InGaAs PD чип 200 × 200 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА 3 пФ 310 × 310 мкм
WIR3-300 InGaAs PD чип 300 × 300 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА 7 пФ 430 × 430 мкм
WIR3-500 InGaAs PD чип 500 × 500 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 1 нА 15 пФ 650 × 650 мкм
WIR3-1000 InGaAs PD чип 1000 × 1000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 1.0 А/Вт 2.5 нА 55 пФ 1150 × 1150 мкм
WIR3-2000 InGaAs PD чип 2000 × 2000 мкм 900 – 1740 нм 1650 нм 0.95 А/Вт 25 нА 550 пФ 2300 × 2300 мкм
WIR4-1000 InGaAs PD чип 1000 × 1000 мкм 900 – 2200 нм 2004 нм 1.2 А/Вт 9000 нА 440 пФ 1150 × 1150 мкм
WIR5-1000 InGaAs PD чип 1000 × 1000 мкм 900 – 2600 нм 2330 нм 1.2 А/Вт 50000 нА 440 пФ 1150 × 1150 мкм
WIMA-5000 InGaAs PD чип 5000 × 5000 мкм 900 – 1600 нм 1310 нм 0.9 А/Вт 225 нА 3500 пФ 5240 × 5240 мкм
WIMA-3000 InGaAs PD чип 3000 × 3000 мкм 900 – 1600 нм 1310 нм 0.9 А/Вт 75 нА 1000 пФ 3280 × 3280 мкм
WIMA-1000 InGaAs PD чип 1000 × 1000 мкм 900 – 1600 нм 1310 нм 0.9 А/Вт 2.5 нА 55 пФ 1150 × 1150 мкм