InGaAs фотодетекторные чипы

Бескорпусные InGaAs-кристаллы Wing Chip предназначены для производителей фотоприёмной аппаратуры, интегрирующих детекторы ближнего ИК-диапазона непосредственно в свои изделия. Чипы выпускаются с граничной длиной волны 1,6–1,7 / 2,2 / 2,6 мкм и различными диаметрами фоточувствительной площадки, обеспечивая сочетание высокой чувствительности и низкого темнового тока в компактном формате.
Поставка кристаллов напрямую от производителя позволяет гибко настраивать размер площадки и исполнение для монтажа. Это решение для серийных изделий — оптических датчиков, каналов мониторинга мощности, спектральных и измерительных приборов, — где корпусированный фотодиод избыточен по габаритам или стоимости.

Модель	Тип	Технический проспект	Активная область	Рабочий диапазон	Пиковая длина волны	Пиковая чувствит.	Темновой ток (макс.)	Емкость	Размер чипа
WIR3-01B	InGaAs PD чип	Скачать PDF	200 × 200 мкм	900 – 1740 нм	1650 нм	0.95 А/Вт	1 нА	3 пФ	310 × 310 мкм
WIR3-300	InGaAs PD чип	Скачать PDF	300 × 300 мкм	900 – 1740 нм	1650 нм	0.95 А/Вт	1 нА	7 пФ	430 × 430 мкм
WIR3-500	InGaAs PD чип	Скачать PDF	500 × 500 мкм	900 – 1740 нм	1650 нм	0.95 А/Вт	1 нА	15 пФ	650 × 650 мкм
WIR3-1000	InGaAs PD чип	Скачать PDF	1000 × 1000 мкм	900 – 1740 нм	1650 нм	1.0 А/Вт	2.5 нА	55 пФ	1150 × 1150 мкм
WIR3-2000	InGaAs PD чип	Скачать PDF	2000 × 2000 мкм	900 – 1740 нм	1650 нм	0.95 А/Вт	25 нА	550 пФ	2300 × 2300 мкм
WIR4-1000	InGaAs PD чип	Скачать PDF	1000 × 1000 мкм	900 – 2200 нм	2004 нм	1.2 А/Вт	9000 нА	440 пФ	1150 × 1150 мкм
WIR5-1000	InGaAs PD чип	Скачать PDF	1000 × 1000 мкм	900 – 2600 нм	2330 нм	1.2 А/Вт	50000 нА	440 пФ	1150 × 1150 мкм
WIMA-5000	InGaAs PD чип	Скачать PDF	5000 × 5000 мкм	900 – 1600 нм	1310 нм	0.9 А/Вт	225 нА	3500 пФ	5240 × 5240 мкм
WIMA-3000	InGaAs PD чип	Скачать PDF	3000 × 3000 мкм	900 – 1600 нм	1310 нм	0.9 А/Вт	75 нА	1000 пФ	3280 × 3280 мкм
WIMA-1000	InGaAs PD чип	Скачать PDF	1000 × 1000 мкм	900 – 1600 нм	1310 нм	0.9 А/Вт	2.5 нА	55 пФ	1150 × 1150 мкм