Кремниевые фотодиоды

Кремниевые фотодиоды Wing Chip предназначены для регистрации оптического излучения в диапазоне 400–1100 нм, охватывающем видимую и ближнюю инфракрасную области спектра. В линейку входят PIN-фотодиоды c малым темновым током и высокой чувствительностью. Стандартные исполнения включают корпуса TO-5/8/46 с окном и варианты активной площадки от 500 до 6000 мкм.
Приборы применяются в лазерной дальнометрии, лидарах, системах лазерной сигнализации, счёте фотонов и слабосигнальной фотометрии, а также в аналитическом и контрольно-измерительном оборудовании. По запросу возможен подбор модели под требования конкретной задачи.

Модель	Тип	Технический проспект	Активная область	Рабочий диапазон	Пиковая длина волны	Пиковая чувствит.	Темновой ток (макс.)	Корпус	Размер чипа
WST8-08A	Si PIN диод	Скачать PDF	6000 × 6000 мкм	400 – 1100 нм	980 нм	0.65 А/Вт	10 нА	TO-8	—
WST4-050A	Si квадрант PD	Скачать PDF	4000 × 4000 мкм	400 – 1100 нм	980 нм	0.5 А/Вт	10 нА	TO-8	5000 × 5000 мкм
WP016A	PSD PIN PD	Скачать PDF	3250 × 1016 мкм	430 – 1100 нм	940 нм	—	10 нА	SMD	3657 × 1422 мкм
WST9-07B	Si PIN диод	Скачать PDF	2768 × 2768 мкм	400 – 1100 нм	940 нм	0.5 А/Вт	10 нА	TO-5	3000 × 3000 мкм
WST9-05G	Si PIN диод	Скачать PDF	550 × 550 мкм	430 – 1100 нм	760 нм	0.5 А/Вт	10 нА	TO-46	680 × 680 мкм
WST9-0DB	Si PIN диод	Скачать PDF	1016 × 1016 мкм	400 – 1100 нм	650 нм	0.35 А/Вт	10 нА	TO-46	1270 × 1270 мкм
WST9-57B	Si PIN диод	–	550 × 550 мкм	400 – 1100 нм	760 нм	0.5 А/Вт	10 нА	TO-46	680 × 680 мкм
WSP9-07D	Si PD Plastic Dual In-Line	Скачать PDF	1016 × 1016 мкм	400 – 1100 нм	940 нм	—	—	Plastic DIP	1270 × 1270 мкм