Нажимая кнопку «Подписаться», вы принимаете условия «Соглашения на обработку персональных данных».
Вебинар «Достижения в области сканирующей емкостной микроскопии для наноэлектрических исследований и анализа отказов (режимы PinPoint и QuickStep)»
27 Мая 2020 г. 12:00 – 13:30 (Москва)
Сканирующая емкостная микроскопия (SCM) – это универсальный инструмент в полупроводниковой промышленности для анализа отказов и измерения уровня легирования с преимуществом неразрушающего метода с высоким пространственным разрешением. Области применения варьируются от характеристики ионно-имплантированных полупроводников, анализа электрических свойств приборов типа металл-оксид-полупроводник (МОП) и энергонезависимых запоминающих устройств сверхвысокой плотности.
В ходе данного вебинара мы проведем обзор и введение в SCM с использованием атомно-силового микроскопа NX20 компании Park Systems. Кроме того, мы рассмотрим дополнительные опции, которые можно добавить к традиционной SCM с помощью нашего программного обеспечения SmartScan для улучшения результатов измерений и воспроизводимости.
Во-первых, режим QuickStep позволяет пользователю устанавливать определенное время контакта зонда для каждого пикселя, что обеспечивает лучшее и более стабильное взаимодействие кантилевера с образцом при его сканировании. Кроме того, скорость сканирования может быть увеличена для более быстрого получения изображений.
Во-вторых, мы покажем режим измерения PinPoint в сочетании с SCM. PinPoint – это наномеханический режим от Park Systems, который позволяет полностью исключить латеральную составляющую из электрического сканирования. Это значительно увеличивает воспроизводимость, так как взаимодействие кантилевера с образцом контролируется в большей степени и не подвержено латеральному движению. Кроме того, наномеханические свойства могут быть зарегистрированы в то же время, когда измеряется сигнал SCM.
Установка SCM состоит из проводящего (металлического) кантилевера и высокочувствительного емкостного датчика. Вместе с окисленным полупроводником установка образует МОП-конденсатор. Емкость определяется толщиной оксидного слоя и площадью обеднения на поверхности кремний/оксид. Таким образом, с гомогенным оксидным слоем изменения емкости образца могут быть определены путем приложения к образцу переменного напряжения смещения.
Вебинар будет представлен Dr. Florian Stumpf – менеджером по прикладным задачам, Park Systems Europe, Мангейм, Германия.