MD-PICTS – микроволновая регистрация фотоиндуцированной токовой спектроскопии переходных процессов

MD-PICTS является модификацией MDP метода и доработкой стандартного PICTS режима исследования полупроводников, с помощью которого выполняются температурно-зависимые измерения переходных процессов для анализа электрических дефектов.

Данный метод позволяет исследовать полупроводниковые дефекты с пространственным разрешением по технологии, схожей с DLTS (релаксационная спектроскопия глубоких уровней), когда определяется энергия активации и поперечное сечение захват межфазных полупроводниковых ловушек: чувствителен к дефектам, действующим в качестве энергетических ловушек. Однако в отличие от релаксационной DLTS спектроскопии MD-PICTS метод является бесконтактным, обладает более высокой чувствительностью и имеет возможность совмещения с температурно-зависимыми измерениями (от 4K до 500K), что делает его универсальным для анализа широкого ряда существующих полупроводниковых материалов, а также позволяет интегрировать в новые области данной сферы.

Теоретические основы

Любой электрический дефект в полупроводнике определяется следующими параметрами:

  • Энергия активации
  • Поперечное сечение захвата σp и σn

Плотность дефекта NT

Физические процессы Физические процессы и соответствующие им сигналы при анализе

Физические процессы и соответствующие им сигналы при анализе методом MD-PICTS: ① генерация носителей заряда и их захват ловушками; ② быстрая рекомбинация; ③ температурное переизлучение захваченных носителей.

Примеры использования MD-PICTS метода

Анализ температурно-зависимого изменения переходной фотопроводимости

Анализ температурно-зависимого изменения переходной фотопроводимости для определения энергии активации EA

MD-PICTS температурный спектр

MD-PICTS температурный спектр: каждый пик соответствует электрическому дефекту.Далее температурный сдвиг максимума пика каждого дефекта может быть перенесен на график Аррениуса после вычисления значения интенсивности излучения по следующей формуле:

интенсивность излучения

График Аррениуса

График Аррениуса: по наклону кривой может быть определена энергия активации EA

  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1010 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость, эмиссионные постоянные
  • Размер образцов: от 5 × 5 мм до 20 × 20 мм
Узнать цену