Анализ InP

InP широко используется в высокочастотной технике, например, для лазеров, оборудования связи и при производстве интегральных микросхем. Следовательно, для данного материала, как и для других полупроводников, необходимо наличие методов для контроля качества и анализа дефектов.

Для исследования дефектов в данном материале хорошо себя зарекомендовал MD-PICTS метод. Например, исследования фосфида индия показывают, что содержание электрических дефектов в нем изменяется в процессе отжига, что также может влиять на распределение электрических свойств. То есть, в то время как содержание дефектов в образцах непосредственно после выращивания зависит от их положения в кристалле, эквивалентная концентрация дефектов становится заметной в отожженных образцах. На рис. 1 показано сравнение образцов InP, легированных железом, для различных положений кристалла. Они отличаются по своим характерным уровням дефектов. Наблюдаемые пики в легированном железом InP предоставили первое доказательство того, что железо действует как центр рекомбинации.

Сравнение  спектров образцов

Рис. 1. Сравнение MD-PICTS спектров образцов InP, легированных железом, для различных положений кристалла и, как следствие, разных концентраций железа: образцы отличаются по своим характерным уровням дефектов.

Измерители электрических свойств полупроводников

  • Удельное сопротивление: 0.2 – 1010 Ом·см, p/n-тип проводимости
  • Измеряемый параметр: время жизни носителей заряда, фотопроводимость, эмиссионные постоянные
  • Размер образцов: от 5 × 5 мм до 20 × 20 мм
Узнать цену