Приемники излучения TO серии

Приемники данной серии являются очень компактными и предлагают пользователю удобство эксплуатации и высокую производительность благодаря максимально близкому расположению фотодетектора и предусилителя насколько это возможно, тем самым минимизируя электромагнитные помехи и микрофонный эффект. Также возможно создание гибридных модулей при использовании любого из наших фотодиодов с TE-охлаждением или работающих при комнатной температуре. Серия TO-5 4-пинных неохлаждаемых приемников с активной площадью до 3 мм использует фиксированное значение усиления. Серия TO-8 приемников используется для устройств с большей активной площадью и для применений, в которых Вы сами можете выбирать значение усиления, полосы пропускания и напряжения смещения.

Источники TE-охлаждения также могут быть добавлены в корпус приемников типа T-5 OFHC и TO-8 для температурной стабилизации и улучшения производительности. Данные модули также могут оснащаться PbS, PbSe HgCdTe детекторами.

Работоспособность приемников данной серии также поддерживается нашими источниками питания.

Доступные модели приемников TO серии:

Парт. номер Активная площадь Рабочий диапазон Тип детектора
S-010-E5 (2k, 20k, 1M, 10M) 1 мм 0.3 – 1 мкм Si
S-025-E5 (2k, 20k, 1M, 10M) 2.5 мм 0.3 – 1 мкм
S-025-E5 (1M) 2.5 мм 0.3 – 1 мкм
S-025-E5 (5M) 2.5 мм 0.3 – 1 мкм
G-010-E5 1 мм 0.8 – 1.8 мкм Ge
G-030-E5 3 мм 0.8 – 1.8 мкм
IGA-010-E5 (2k, 10k, 1M, 10M) 1 мм 0.9 – 1.7 мкм InGaAs
IGA-010-E5 (1M) 1 мм 1 – 1.7 мкм
IGA-010-E5 (10M) 1 мм 1 – 1.7 мкм
IGA-010-E5 (10k) 1 мм 0.9 – 1.7 мкм
IGA-010-E5 (150k) 1 мм 0.9 – 1.7 мкм
IGA-020-E5 (1k, 10k, 1M) 2 мм 0.9 – 1.7 мкм
IGA-030-E5 (0.5k, 5k, 1M) 3 мм 0.9 – 1.7 мкм
IGA2.2-010-E5 1 мм 1.2 – 2.6 мкм Расширенный InGaAs
S-010-E8 1 мм 0.3 – 1 мкм Si
S-025-E8 2.5 мм 0.3 – 1 мкм
S-050-E8 5 мм 0.3 – 1 мкм
S-058-E8 5.8 мм 0.3 – 1 мкм
G-030-E8 3 мм 0.8 – 1.8 мкм Ge
G-050-E8 5 мм 0.8 – 1.8 мкм
IGA-010-E8 1 мм 1 – 1.7 мкм InGaAs
IGA-020-E8 2 мм 1 – 1.7 мкм
IGA-030-E8 3 мм 1 – 1.7 мкм
IGA-050-E8 5 мм 1 – 1.7 мкм
IGA1.9-010-E8 1 мм 1.1 – 2.1 мкм Расширенный InGaAs
IGA1.9-030-E8 3 мм 1.1 – 2.1. мкм
IGA2.2-010-E8 1 мм 1.2 – 2.6 мкм
IGA2.2-030-E8 3 мм 1.2 – 2.6 мкм
PBS-010-E8 1 мм 1 – 2.8 мкм PbS
PBS-020-E8 2 мм 1 – 2.8 мкм
PBS-030-E8 3 мм 1 – 2.8 мкм
PBS-050-E8 5 мм 1 – 2.8 мкм
PBSE-010-E8 1 мм 1 – 4.5 мкм PbSe
PBSE-020-E8 2 мм 1 – 4.5 мкм
PBSE-030-E8 3 мм 1 – 4.5 мкм
PBSE-050-E8 5 мм 1 – 4.5 мкм
UVS-010-E8 1 мм 0.2 – 1 мкм УФ Si
UVS-025-E8 2.5 мм 0.2 – 1 мкм
UVS-050-E8 5 мм 0.2 – 1 мкм
UVS-058-E8 5.8 мм 0.2 – 1 мкм
S/S-025-E8 2.5 мм / 2.5 мм 0.3 – 1 мкм Si / Si
IGA/IGA-020-E8 2 мм / 2 мм 1 – 1.7 мкм InGaAs / InGaAs