Сканирующая зондовая микроскопия методом Кельвина (SKPM)

Высокое разрешение и чувствительность к распределению поверхностного потенциала

Усовершенствованный электросиловой микроскоп (EFM)

Три дополнительных режима электросиловой микроскопии реализованы в усовершенствованном микроскопе EFM серии XE. Это DC-EFM (на режим DC-EFM получен патент Park Systems, США 6185991), метод пьезоэлектрической силовой микроскопии (PFM, аналогично DC-EFM) и сканирующий метод зонда Кельвина (SKPM), также известный как микроскопия распределения поверхностного потенциала.

В усовершенствованном микроскопе EFM серии XE, схема которого представлена на рисунке 1, внешний синхронный усилитель подключается к АСМ-ХЕ, чтобы: во-первых, выделить и использовать сигнал переменного тока частотой ω в дополнение к сигналу постоянного тока, который используется контроллером XE для  подачи его на зонд. Во-вторых, выделить  частоту сигнала ω в выходном сигнале. Эта уникальная возможность серии XE в усовершенствованном варианте микроскопа EFM – основное преимущество по сравнению со стандартными системами микроскопов EFM.



Рис 1. Схема усовершенствованного EFM серии XE

Почему стоит выбрать усовершенствованный микроскоп EFM серии XE?

Стандартный микроскоп EFM производит детектирование поверхности в два прохода зонда (один проход выполняется практически в «холостую»), поэтому обладает ограниченным пространственным разрешением при определении распределения поверхностного потенциала. Усовершенствованный микроскоп EFM серии XE позволяет сканировать поверхность по однопроходной методике, при этом воспроизводится топография и распределение поверхностного потенциала без потери разрешения. Кроме того, это позволяет реализовать режим измерения сигналом высокой частоты.

  • Распределение поверхностного заряда и потенциала
  • Анализ неисправностей в контактах микроэлектронных цепей
  • Механическое измерение твердости (DC-EFM)
  • Измерение плотности заряда для областей самопроизвольной поляризации
  • Падение напряжения на микрорезисторах
  • Функционирование полупроводникового устройства

SKPM

Принцип действия SKPM аналогичен усовершенствованному EFM с обратной связью по постоянному току (рис. 2). Смещение по постоянному току (перенастройка) определяет по цепи обратной связи и используется для обнуления амплитуды колебания кантилевера на частоте ω. Смещение по постоянному току DC, которое обнуляет усилие, и является мерой поверхностного потенциала. Обрабатывается сигнал, полученный от синхронного усилителя. Как отмечено в предыдущем разделе материала,  сигнал ω, полученный от синхронного усилителя, можно выразить следующим уравнением:

2 x (C / d) x (VDC - VS) x VAC sin ωt

Сигнал ω можно сам по себе использовать для измерения поверхностного потенциала. Амплитуда сигнала ω равна нулю, если VDC = VS, или если смещение по постоянному току соответствует поверхностному потенциалу образца. Контур обратной связи можно добавить в систему и изменять смещение по постоянному току таким образом, чтобы на выходе синхронного усилителя, измеряющего амплитуду сигнала ω, присутствовал ноль. Это значение смещения по постоянному току, которое обнуляет амплитуду сигнала ω соответствует поверхностному потенциалу образца. Изображение, полученное вариацией смещения постоянного тока, показано на следующем рисунке и является абсолютным значением поверхностного потенциала (рисунок 3).



Рис 2. VDC контролируется, чтобы амплитуда синала ω была равна нулю, чтобы VDC соответствовал поверхностному потенциалу



Рис 3. Распределение поверхностного потенциала на ASIC

Микроскопы, работающие в режиме сканирующей зондовой микроскопии методом Кельвина (SKPM):

  • Двумерный консольный сканер с диапазоном сканирования 100 мкм × 100 мкм
  • Консольный Z-сканер высокого усилия
  • Удобное крепление головки SLD по направляющей
  • Множественный зажим
  • Моторизированный предметный столик XY
Узнайте цену
  • Самый оснащенный и универсальный АСМ
  • Сканирующий диапазон: 50 мкм × 50 мкм (10 мкм × 10 мкм, 100 мкм × 100 мкм)
  • Бесконтактный режим True Non-Contact
  • Длительный срок службы зонда, высочайшее разрешение
  • Точное латеральное сканирование XY в режиме «Crosstalk Elimination» (устранение помех)
  • Точная топография АСМ с применением малошумного Z-детектора
Узнайте цену
  • Двумерный консольный сканер с диапазоном сканирования 10 мкм × 10 мкм
  • Консольный Z-сканер высокого усилия
  • Удобное крепление головки SLD по направляющей
  • Удобный держатель образца
  • Предметный столик XY с ручным управлением
Узнайте цену
  • Анализ дефектов полупроводников
  • Сканирующий диапазон: 100 мкм×100 мкм (50 мкм×50 мкм, 25 мкм×25 мкм)
  • Бесконтактный режим True Non-Contact
  • Z-детектор с низким уровнем шума
  • Автоматизированный интерфейс
Узнайте цену