Свежие записи
24 декабря 2025

Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов

12 мая 2022

Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов

20 апреля 2022

Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов

14 апреля 2022

Автор: Раздел: Атомно-силовая микроскопия

28 марта 2022

Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов

09 февраля 2022

Автор: ВикторРаздел: Атомно-силовая микроскопия

24 января 2022

Автор: ВикторРаздел: Атомно-силовая микроскопия

Подписка на новые статьи


Нажимая кнопку «Подписаться», вы принимаете условия «Соглашения на обработку персональных данных».

Блог — Атомно-силовая микроскопия

Анализ проводящих сегнетоэлектрических доменных стенок

Сегнетоэлектрические материалы обычно имеют широкую запрещенную зону и поэтому классифицируются как изоляторы. Они несут спонтанную электрическую поляризацию, которая существует в двух или более состояниях ориентации и может переключаться при приложении внешнего напряжения смещения.

Читать далее

Визуализация поверхностного потенциала с помощью силовой микроскопии с зондом Кельвина с боковой полосой частот

От материаловедения до биологических исследований ученые применяют силовую микроскопию с зондом Кельвина (KPFM) для измерения поверхностного потенциала и рабочих функций. KPFM следует принципу работы электростатической силовой микроскопии (EFM).

Читать далее

Измерения поверхностного потенциала двумерных материалов в высоком вакууме

Среди двумерных материалов дихалькогениды переходных металлов (TMD) состоят из одного слоя переходных металлов M, зажатого между двумя слоями атомов халькогена X, образуя химическую формулу.

Читать далее

МСМ метод для анализа Mn1.4PtSn: Исследование магнитных носителей для антискирмионов

Данная статья, основанная на публикациях Суханова и др.: «Анизотропная фрактальная картина магнитных доменов в объеме Mn1.4PtSn» и Zuniga Cespedes и др.: «Критическое соотношение сторон образца и зависимость от магнитного поля для образования антискирмиона в монокристаллах Mn1.4PtSn», фокусируется на геометрическом влиянии на образование антискирмиона в тетрагональном соединении Гейслера Mn1.4PtSn [3, 4].

Читать далее

Анализ поверхностного потенциала двумерных материалов посредством приложения обратного напряжения смещения

Двумерные (2D) материалы, в том числе полуметаллический графен, полупроводниковые дихалькогениды переходных металлов (TMD) и изолирующий гексагональный нитрид бора (hBN), в последние годы изучались как инновационные с электрической или фотонной точки зрения материалы.

Читать далее

Исследование происхождения доменной структуры в пьезоотклике гибридных перовскитов

Иодид свинца метиламмония (MAPbI3), впервые описанный в 1987 г. и с 2009 г. успешно применяемый в фотоэлектрических (PV) устройствах [1, 2], кристаллизуется в тетрагональной структуре перовскита при комнатной температуре [3]. Поскольку перовскиты часто обладают ферроидными свойствами, а MAPbI3 дополнительно имеет полярный центральный ион метиламмония (2.3D) [4], исследователи давно обсуждают возможную сегнетоэлектрическую и сегнетоэластическую природу материала [5-7].

Читать далее

Внутренняя электрическая характеризация двумерных дихалькогенидов переходных металлов с помощью сканирующей зондовой микроскопии

В обычном планарном кремниевом полевом транзисторе (FET) управляемость затвором становится слабее, когда его поперечный размер становится меньше, чем толщина транзистора, что приводит к неблагоприятным эффектам короткого канала, включая ток утечки, насыщение подвижности носителей в канале, канальная деградация горячих носителей и зависящий от времени пробой диэлектрика.

Читать далее

Сравнительное исследование атомно-силовой микроскопии между методами стандартной и боковой KPFM: принципы и применения

В данной статье мы представляем результаты, полученные с помощью AM-KPFM и боковой KPFM на четко определенных образцах с протяженными участками с различными поверхностными потенциалами. На основе этих результатов мы напрямую сравниваем пространственное разрешение AM-KPFM и боковой KPFM в идентичных условиях.

Читать далее

Фазовая автоматическая подстройка частоты для бесконтактной АСМ с частотной модуляцией на примере NX-Hivac

Фазовая автоматическая подстройка частоты – это мощный метод, позволяющий синхронизировать несколько измерений таким образом, что несколько сигналов могут быть получены в один и тот же момент времени. Комбинация фазовой автоматической подстройки частоты (ФАПЧ / PLL) с атомно-силовой микроскопией (АСМ) обеспечивает такие возможности, как АСМ с частотной модуляцией (FM), которая позволяет исследователям наблюдать динамические свойства колеблющегося кантилевера, которые могут использоваться для количественной оценки измерений поверхностного потенциала.

Читать далее

Улучшенный анализ электрических характеристик современных материалов в условиях высокого вакуума

В данной статье демонстрируется исследование двух различных образцов с помощью атомно-силового микроскопа NX-Hivac компании Park Systems и показывается преимущество высокого вакуума для измерений в режимах C-AFM и SSRM. Результаты показывают улучшенную чувствительность и разрешение при измерениях в условиях высокого вакуума по сравнению с измерениями на воздухе.

Читать далее