Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Автор: Раздел: Атомно-силовая микроскопия
Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Автор: ВикторРаздел: Атомно-силовая микроскопия
Автор: ВикторРаздел: Атомно-силовая микроскопия
Автор: ВикторРаздел: Атомно-силовая микроскопия
Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Автор: ГалинаРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Автор: ВикторРаздел: Анализ микроструктуры материалов
Нажимая кнопку «Подписаться», вы принимаете условия «Соглашения на обработку персональных данных».
Блог — Атомно-силовая микроскопия
В обычном планарном кремниевом полевом транзисторе (FET) управляемость затвором становится слабее, когда его поперечный размер становится меньше, чем толщина транзистора, что приводит к неблагоприятным эффектам короткого канала, включая ток утечки, насыщение подвижности носителей в канале, канальная деградация горячих носителей и зависящий от времени пробой диэлектрика.
Читать далееВ данной статье мы представляем результаты, полученные с помощью AM-KPFM и боковой KPFM на четко определенных образцах с протяженными участками с различными поверхностными потенциалами. На основе этих результатов мы напрямую сравниваем пространственное разрешение AM-KPFM и боковой KPFM в идентичных условиях.
Читать далееФазовая автоматическая подстройка частоты – это мощный метод, позволяющий синхронизировать несколько измерений таким образом, что несколько сигналов могут быть получены в один и тот же момент времени. Комбинация фазовой автоматической подстройки частоты (ФАПЧ / PLL) с атомно-силовой микроскопией (АСМ) обеспечивает такие возможности, как АСМ с частотной модуляцией (FM), которая позволяет исследователям наблюдать динамические свойства колеблющегося кантилевера, которые могут использоваться для количественной оценки измерений поверхностного потенциала.
Читать далееВ данной статье демонстрируется исследование двух различных образцов с помощью атомно-силового микроскопа NX-Hivac компании Park Systems и показывается преимущество высокого вакуума для измерений в режимах C-AFM и SSRM. Результаты показывают улучшенную чувствительность и разрешение при измерениях в условиях высокого вакуума по сравнению с измерениями на воздухе.
Читать далееИсследование показало, что сканирующая микроскопия сопротивления растеканию (SSRM) и сканирующая емкостная микроскопия (SCM) могут решить проблемы двумерного профилирования носителей заряда в современных электронных устройствах, имеющих характерные структуры размерами порядка 10 нм, при условии выбора правильного инструмента для анализа.
Читать далееВ данной прикладной статье демонстрируется электрохимический процесс, называемый анодным окислением, с использованием метода нанолитографии с приложением напряжения смещения для создания оксидных рисунков на поверхности кремниевой подложки.
Читать далееАтомно-силовой микроскоп модели NX-Hivac компании Park Systems позволяет инженерам и исследователям по анализу отказов электронных компонентов и устройств повысить чувствительность и разрешение своих измерений с помощью различных видов электрической сканирующей микроскопии, среди которых хорошо зарекомендовавшие себя режимы сканирующей микроскопии с сопротивлением растекания (SSRM) и проводящей атомно-силовой микроскопии (C-AFM) в высоком вакууме.
Читать далееВ этой статье рассматривается топография и адгезионные свойства пробиотиков, чтобы определить форму бактерии, которая хорошо прикрепляется к толстой кишке. Исследования проводились на основе анализа коммерчески доступных пробиотиков с использованием наномеханического режима PinPoint для атомно-силовой микроскопии (АСМ) от компании Park Systems.
Читать далееДанное исследование демонстрирует пригодность фазовой визуализации для характеристики тонких полимерных пленок. Фазовые изображения высокого разрешения, полученные в эксперименте, показывают значительные изменения поверхности тонких пленок полимера после того, как они подверглись нагреву и приложению напряжения смещения.
Читать далееВ ходе данной работы мы продемонстрировали использование режима атомно-силового микроскопа нанолитографии для создания наноразмерных структур оксида на кремниевой подложке с использованием системы Park NX10. В процессе АСМ нанолитографии использовался метод с напряжением смещения.
Читать далее